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集成电路的历史发展过程

科技观察员 来源:apogeeweb 作者:apogeeweb 2023-06-30 10:54 次阅读

一、世界集成电路的历史

1947年,John Bardin、Bratton、Shockley在位于美国的Baer实验室发明了晶体管,这是微电子技术发展的第一个里程碑。

1950年,结型晶体管问世。

1951年,场效应晶体管发明

1956年,C S Fuller发明了扩散工艺

1958年,仙童公司的罗伯特·诺伊斯(Robert Noyce)和德义的柯比(Kirby)分别在几个月内发明了集成电路,创造了世界微电子的历史。

1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺

1962年:美国RCA公司研制的MOS场效应晶体管

1963年:F.M.Wallass和C.T.Sah首次提出了CMOS技术。如今,超过95%的集成电路芯片基于CMOS技术

1964年:英特尔摩尔提出摩尔定律,预测晶体管的集成度将每1个月增加18倍。

1966年:RCA公司研制出CMOS IC,研制出第一个门阵列(50门),为大规模集成电路的发展奠定了坚实的基础,具有里程碑意义。

1979年:英特尔推出5MHz 8088微处理器,随后IBM推出全球首款基于8088的PC

1981年:256Kb DRAM和64KB CMOS SRAM问世

1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256Kb SRAM

1985年:80386微处理器问世,20MHz

1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅芯片集成35万个晶体管,标志着进入超大规模集成电路(VLSI)阶段。

1989年:1Mb DRAM进入市场

1989年:486个微处理器,25MHz,1微米m,以及后来的50MHz芯片,使用0.8微米M

1992年:64M位随机存取存储器问世

1993年:推出66MHz奔腾处理器,采用0.6微米m工艺

1995年:奔腾Pro,133MHz,采用0.6-0.35M技术;

1997年:300MHz奔腾II问世,采用0.25微米m工艺

1999年:奔腾III问世,450MHz,采用0.25微米m工艺,再采用0.18微米m工艺

2000年:1Gb RAM上市

2000年:奔腾4,1.5GHz,使用0.18 - M工艺

2001年:英特尔宣布在0年下半年采用13.2001 - M工艺。

2003年:奔腾4 E系列,采用90nm技术。

2005年:英特尔酷睿2系列上市65nm技术。

2007年:基于新的45纳米高K工艺的Intel Core 2 E7/E8/E9上市。

2009年:英特尔酷睿I系列推出新纪录,采用32纳米工艺领先,而22纳米技术正在开发下一代。

二、我国集成电路发展史

我国集成电路产业诞生于60年代,经历了三个发展阶段:

1965年-1978年:以支持计算机和军工为目标,以发展逻辑电路为主要产品,初步建立了集成电路工业基础和相关设备、仪器和材料的配套条件。

1978年-1990年:主要进口二手设备,提高集成电路设备水平,在“治理分散无序”的同时,以消费者为支撑点,解决国内彩电集成电路

1990-2000年:围绕908工程和909工程,以CAD为突破口,重点建设北方科技攻关基地和研发基地,服务信息产业,集成电路产业取得新进展。

集成电路产业是集成电路产业链各部分销售的整体市场,其中不仅包括IC市场,还包括IP市场、EDA市场、核芯片代工市场、封装市场,甚至延伸到设备和材料市场。

IC行业不再依赖于CPU和存储器等单一器件的开发。移动互联网、三网融合、多屏交互、智能终端带来多重市场空间,商业模式不断创新,为市场注入新活力。目前,我国集成电路产业具有一定的基础,多年来我国集成电路产业技术创新活力的积累,对电源市场开拓能力的积累,对资源的整合和广阔的市场潜力,为产业在未来5年到10年内实现快速发展,迈向一个新的阶段奠定了基础。

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