当BUZZ处于高压状态时,晶体管T1(N型晶体管)接通,蜂鸣器响起。R5 的角色用于电流限制。
以下电路增加一个电容C18和一个反向二极管D2,以滤除和阻断反向二极管。二极管的反向击穿电压非常高。一般低功率三极管触发电压非常低至0.7V。电流也很小,一般小于1UA。
III IO控制电源开关已打开 - 使用晶体管和 MOS 管
MOS:FET MOSFET管之一,可制成增强型或耗尽型,P沟道或N沟道全部类型。但实际应用只是增强型N沟道MOS管和增强型P沟道MOS管,即NMOS和PMOS。
对于这两种增强型MOS管,通常使用NMOS,其特点是导通电阻低。它通常适用于巫术电源和电机驱动。
导管条件:
当 Vgs 大于特定值时,NMOS 将打开。当 Vgs 小于某个值时,PMOS 打开。
开关损耗:
无论是NMOS还是PMOS,导通后都有导通电阻,导致不可避免的损耗。而现在MOS晶体管的导通电阻一般是几十毫欧。
MOS管AO3401:P沟道增强模式场效应晶体管
导通条件:一般不超过-12V即可用于AO3401。以下是不同压降下的阻抗:
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