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沙子是如何变成芯片的?

科技观察员 来源:gadgetronicx 作者:gadgetronicx 2023-07-04 16:07 次阅读
本文主要讲解了切屑形成的过程。沙子是如何变成芯片的?在开始介绍电的一系列基本概念和各种繁琐的公式之前,我想解决我们大多数人一直以来的疑问。但是,这个问题仍然很难用几句话来回答,我们至少要用十几节来完成这里所包含的所有知识。因此,在本节中,我将重点回答最有趣和最重要的部分:沙子如何成为晶体管

一、从砂到切屑--切屑形成过程

PN结是一种广泛存在于半导体器件中的结构。它实际上不是一个非常准确的结构。PN结实际上是一种现象,是指在P型半导体和N型半导体的接触部分附近发生的耗尽。

这里有很多术语,如果我从各种百科全书中到处拉一点,组合起来的东西几乎是这样的。一开始,为什么二极管具有单向电导率,为什么三极管可以放大电流?为什么JFET可以限制电流的问题一个接一个地困扰着我。

各大高校教材的问题在于,从来不讲详细的原理,即使说了也听不懂,导致问题越来越多,公式、理论也很难记住。直到不久前,我才终于明白了他们的原理。为了方便大家理解以下系列理论,第一部分将非常详细,为后续学习打下坚实的基础。

二、什么是半导体

让我们谈谈什么是半导体。半导体是在导体和绝缘体的导电性能之间具有导电性能的材料。我们知道导体和绝缘体的区别在于导体中有大量的自由电子,而绝缘体中几乎没有自由电子。那么,纯硅晶体能导电吗?

1.png

纯硅晶体

在上图中,蓝色固体球体是硅原子,蓝色空心球体是电子。硅原子是正四价的,所以一个原子周围有四个电子(8-4=4)。每个硅原子与周围的硅原子共享四个电子,形成八个电子的稳定结构。在这种情况下,纯硅晶体中几乎没有自由电子

  • 电子被共价键牢固地结合,因此纯硅晶体是绝缘体。

那么我们如何提高硅晶体的导电性呢?第一种方法是增加自由电子。加入自由电子后,由于电子带负电,我们将带有自由电子的硅晶体称为N形半导体,其中“N”是“负”的缩写。添加自由电子的操作在专业上称为掺杂。聪明的学生可以从这个术语开始,思考自由电子是如何添加到晶体中的。

我们需要用价比硅高的原子代替硅原子,这样这个原子周围就会有9个电子。这个额外的电子将成为自由电子并增强晶体的导电性。掺杂此步骤通常通过使用离子束在真空中轰击硅晶体来完成。离子将撞击一部分硅原子,并将所需的原子注入离子实施中。

2.png

负极半导体

什么原子的价比硅高?磷作为一种杂质,含量非常低,可以近似这些磷原子作为晶体的一部分。在正常情况下,磷的额外电子停留在供体原子附近。但是,一旦我们在半导体材料的两侧施加电压,由于八个电子的稳定性高于九个电子,Si和P原子都会“丢弃”电子,它将从电池的负极变成自由电子。运行到电池的正极。定向移动的自由电子产生电能。

3.png

自由电子的定向运动

既然我们知道“N”代表“负”,那么自然而然地,“P”代表“正”。在解释什么是P型半导体之前,我必须问几个问题:

(1)如何使硅晶体减少电子?

(2)我们使用的杂质应该更活泼还是更稳定?

(3)杂质的性质是更接近还是远离硅?

(4)什么样的杂质更容易添加?

答案是第五元素硼。硼具有几种优良的特性。首先,它是第三组的主要元素,因此它的最外层有三个电子,比硅少一个,所以当掺杂硅晶体时,整体缺乏自由电子。其次,硼是第三大族中唯一与硅相似的非金属元素,并且与硅具有很强的相似性。最后,硼稳定,重量轻,易于植入硅晶体中。
4.png

将硼注入硅晶体

硼是一种黑色粉末固体,所以我在这里用一个黑色的球代替了它。旁边有一个虚线球。这是一个电子空穴,这意味着在这个位置缺少一个电子。所以我们可以想到这个洞。带正电。

我们称电子和空穴为电荷载流子。它们携带自己的电荷,可以充当电流发生器。孔的概念可能太抽象了,但我们可以这样理解:把孔想象成一杯水中的气泡,杯子的引力势很低,所以我们把它想象成电池的负极,杯子的底部就是正极。

然后我们把水分子想象成电子。气泡上方的水分子会进入杯子底部,然后在原始水分子所在的位置产生一个新的气泡,从而构成气泡向上移动的错觉。在电路中,电子也受到电压的影响以填充该空穴。然后原始电子的位置被空穴取代。似乎空穴从正极移动到负极。

5.png

电荷载体

III. PN结和二极管

现在我们终于可以谈谈PN结了。正如我们之前所说,PN结是存在于P型半导体和N型半导体之间的现象。

6.png

PN 结

从现在开始,P型半导体的颜色将由空洞橙色表示,N型半导体的颜色将由电子蓝表示。

在P型半导体和N型半导体的接触面附近,N型半导体的电子被填充到P型半导体的空穴中,导致PN结中没有载流子。空穴对电子的吸引力仍然很大。在P型半导体的部分,空穴被电子填充,但P型半导体中所含的杂质是硼,硼外只有三个电子。

当空穴被填充时,硼周围有四个电子,多一个电子,所以整个都带负电。同理,在N型半导体的部分,电子跑进P型半导体的空穴中,荧光粉周围少了一个电子,所以整体带正电。在这个区域,电子填充所有空穴[1],导致没有自由移动的载流子携带电荷,因此电流不能很好地通过该区域。P型半导体和N型半导体单独存在时可以导电,但是当它们放在一起时,它们具有单向导电性,此时它们形成二极管。
7.png

二极管

我们将二极管的P形半导体部分称为阳极,将N形半导体部分称为阴极。这很容易理解。回顾以前的知识:空流从正极流向负极,电子从负极流向正极。P形半导体的空心和N形半导体的电子在正向电压的帮助下向PN结挤压,使PN结两侧的载流子重新获得并具有导电能力。对于硅二极管,只要正向电压超过0.7V,PN结的宽度就会缩小到足够短,以允许电流通过二极管。

我已将上述电池更换为电路符号。相应地,二极管也有自己的电路符号,更长:
8.png

二极管电路符号

那么,如果我们对二极管施加反向电压呢?你可以考虑电子和空穴的运动方向。考虑一下PN结的宽度是否会改变。此更改将对当前产生什么影响?

9.png

向二极管施加反向电压

同样,空穴会流到负极,电子会流到正极,载流子会远离PN结,不存在载流子的区域会变大,所以PN结会变宽,导致没有电流流动,并施加反向电压。电流越大,通过二极管的电流越小。因此,二极管具有单向电导率,只能允许电流从阳极流向阴极。[2]
10.png

电流-电压图

上图是电流-电压图,显示了在不同电压下可以通过二极管的电流。图中的红线代表硅二极管,蓝线代表锗二极管。铌和硅一样,也是一种很好的半导体材料。二极管有一个称为阈值电压的值。高于此值,二极管开始导通。对于硅二极管,该值为0.7V。对于锗二极管,该值为

0.2V [3]。还有一个值称为击穿电压。当我们谈论整改时,会提到这个值。

做完这些准备工作,我们终于可以谈谈晶体管了。CPU中有数十亿个晶体管,但这数十亿个晶体管具有完全相同的结构,只是连接发生了变化。CPU使用的晶体管可以有自己的名称:MOSFET

IV. 金属氧化物半导体场效应晶体管

1926年,当广东国民政府发起的北伐军阀北伐如火如荼时,在大洋彼岸的美国,物理学家朱利叶斯·埃德加·利林菲尔德(Julius Edgar

Lilienfeld)申请了对下个世纪电子学发展产生重要影响。专利 -

控制电流的方法和装置是该专利首次提出场效应晶体管的工作原理。从那时到1960年,虽然两代场效应半导体器件——JFET和MOSFET相继问世,但中国对此没有任何贡献。直到今天,中国的半导体产业仍然落后于世界水平。

11.png

一种控制电流的方法和装置

MOSFET的全名很可怕。它的英文名称称为金属氧化物半导体场效应晶体管。中文名称为金属氧化物半导体场效应晶体管。我希望您也能体会到MOSFET的魅力

  • 低到可以忽略不计的功耗,极其简单的结构和处理技术以及引人入胜的工作原理。

我们注意到MOSFET是一种场效应晶体管。什么是场效应?我们都在早期就学会了磁场,我们知道异性会吸引异性。对于电子产品,也会产生电场。就像电场和磁场一样,它是同性的排斥力,异性吸引电子。电子会排斥电子,但电子会吸引空穴,反之亦然。这句话很简单,只是给学生一个概念。在以下各节中,我将详细介绍电场。

12.png

电场

我们都知道晶体管的作用是用小电流控制大电流。所以晶体管一般有三个引脚。两个负责电流输入和输出,一个负责控制打开和关闭。关键是如何打开和关闭它。我们必须使输入阻抗尽可能大。

什么是输入阻抗?输入阻抗是从控制引脚到输出引脚的电阻值。如果输入阻抗较低,控制引脚上的电流将很容易流出输出引脚。每个控件都会有一点打开和关闭。电流从输出引脚流出,这是一种浪费。如果输入阻抗很大,则控制引脚上的电流不容易流出输出引脚,因为电阻器起到阻断电流的作用。理想的状态是输入阻抗是无限的,这样控制电流根本不消耗能量,CPU的功耗可以降低到几乎为零。

MOSFET使用一种非常神奇的方式来控制电流。其输入引脚和输出引脚由两个独立的N形半导体连接。两个N形半导体填充有P形半导体。在中间的P形半导体上方,有一层薄薄的二氧化硅。(氧化物)绝缘层,上面是金属板,金属板连接控制引脚。

所以它被称为金属/氧化物/半导体/场效应/晶体管。
13.png

场效应管结构

在MOSFET中,我们将输入引脚称为源极G,输出引脚称为漏极D,控制引脚称为栅极G,底部的大块P形半导体称为衬底B[4]。当栅极没有电压时,我们可以看到源极-基板-漏极级之间有两个PN结。这两个PN结隔离电流流出的源极和漏极级。没有方向可以流通。

14.png

N+半导体通道

但是,如果我们像栅极一样施加正电压,那么栅极金属板上的正电荷将吸引P型半导体和N型半导体带负电的电子。然后,绝缘层附近的区域充满载流子(电子)。众所周知,含有电子的半导体材料是N型半导体。虽然衬底本质上是P型半导体,但由于衬底具有非常高的电子浓度,我们可以将该区域的P型半导体视为包含自由电子的N型半导体。我们称这个区域为海峡。由于源极和漏极级之间的半导体现在具有相同的性质,并且都是N型半导体,因此电流可以在两个引脚之间自由流动。

五、N+型半导体

事实上,这里用于源极和漏极阶段的半导体还不是普通的N型半导体。这里,使用大量掺杂荧光粉的N

+半导体。它们含有大量的自由电子,可以使更多的电子能够被门控。极点吸引,增加通道的宽度,使其更容易通过电流。我们可以发现栅极和漏极是绝缘的,这意味着它的输入电阻非常高。可以说,如果不是MOSFET的发明,世界上产生的电力是买不起几台电脑的。MOSFET的出现使数百万晶体管处理器能够进入数百万家庭。其简单的结构也让普通人拥有强大的计算能力。

正如我们的世界是由原子组成的,电子世界也是由MOSFET组成的。无论什么复杂,其本质都是简单而美丽的。希望这一部分能启发同学们,启发大家继续探索电子电路的魅力。

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