三星：2030年3D NAND将进入1000层以上
最近，三星存储业务高管在电子工程师协会2023年夏季会议上透露，他们预计到2030年，V-NAND闪存技术可以实现超过1000层的堆叠。目前，三星、美光、SK海力士等存储巨头已经将3D NAND闪存的层数提升至200层以上，因此对于闪存层数的竞争也变得越来越激烈。
三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层；而第十代3D NAND计划跳过300层区间，直接推出430层的闪存，预计在2025-2026年推出。
早在2007年，当2D NAND闪存达到其极限时，东芝率先提出了3D NAND的概念。而2013年，三星首次推出了被称为“V-NAND”的3D NAND闪存技术。
最初的三星V-NAND芯片每个单元的容量为128Gb（16GB），通过3D堆叠技术最多可以堆叠24层芯片，这意味着24层的V-NAND总容量可达384GB。
三星此次提到的未来1000层闪存引发了存储巨头之间在3D NAND时代的技术竞争。未来，NAND闪存的堆叠层数将像摩天大楼一样越来越高。三星高管表示，V-NAND的出现延续了NAND闪存的发展历程，也是韩国在创造技术和生态系统方面获得成功的一个案例之一。
编辑：黄飞
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