0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

AMAZINGIC晶焱科技考虑寄生电容的高速接口中的TVS选择以及方案应用

KOYUELEC光与电子 来源:KOYUELEC光与电子 作者:KOYUELEC光与电子 2023-07-05 09:28 次阅读

AMAZINGIC晶焱科技考虑寄生电容的高速接口中的TVS选择以及方案应用由授权一级代理分销KOYUELEC光与电子0755-82574660,82542001为ODM研发设计工程师提供技术选型和方案应用支持。

摘要:

TVS的选择与其保护的应用接口息息相关,除了TVS的操作电压必须大于或等于保护线的操作电压之外,若是应用在高速的传输接口保护上,TVS的寄生电容值也必须加入考虑,否则可能会影响讯号完整性(Signal Integrity),造成讯号传输波形的失真,无法判读。但相反的,也有少数系统设计工程师因过度追求讯号完整度,而在讯号线要求过低电容值的TVS,造成可选择的防护组件方案钳位电压 (clamping voltage) 过高,如此可能严重影响TVS防护系统的效果,不符合防护设计方案的初衷。

本文将针对高速接口的传输速度说明TVS的选择方案,并且透过反射损耗来估计高速讯号的最大容许电容值,避免设计工程师挑选过小或过大电容值的防护方案。

寄生电容对于高速讯号的失真影响

如下图一表示,讯号在线对地电容的大小会造成讯号的上升与下降时间变慢,进而造成讯号的波形失真,对地电容越大则会使上升与下降时间越慢,如下式一、二。当讯号的失真程度大过IC可以辨别的阀值情况,则有误码的情况产生。因此在高寄生电容的情况下,要解决误码情况则需要增长Bit Time使得讯号有足够时间上升或下降至判断阀值区,进而造成讯号传输速度变慢。

For Rising State: V(t)=V_0 (1-e^(-t/RC)) 式一

For Falling State: V(t)=V_0 (e^(-t/RC)) 式二

wKgaomSkxxKAROsgAAH8W7OuyME870.png

Fig. 1 电容对于讯号的失真影响

然而从时域的波形中较难量化电容值的大小将造成多严重的讯号失真,因此在高速数字讯号或射频线路的设计中,会透过FFT (Fast Fourier Transform) 将时域转换为频域来做表示,即S参数(S-Parameter),如: S11 Return Loss(反射损失)与S21 Insertion Loss(插入损失)。

高频讯号衰减与电容考虑

S11 Return Loss (反射损失) 描述当传输线两端阻抗不匹配时,电磁波在两接口间产生反射,而反射波与入射波功率的功率比值即Return Loss。TVS在电路上的应用需与终端阻抗并联到地,故会增加电容性负载,使得阻抗发生变化。

首先,假设单端传输线特征阻抗为50 Ohm且为理想正弦波,普遍射频工程上以S11小于 -10dB来判别是否阻抗匹配,当S11小于 -10dB时,代表入射功率可以传送超过90%至负载端。接着计算不同操作频率下的等效电容值,我们就可以得到图二中的红色线,藉此来判断不同速度的高速接口,其TVS的寄生电容值选择上限。

wKgZomSj9ZOAUs90AADP-60ZDpM675.png

Fig. 2 不同反射损耗条件下要求的电容负载容许度

USB4为例,其单一条Tx/Rx的最高传输速度可达20 Gbps,操作频率可等效为10 GHz的基频,因此从图二中可以观察到,一条高速在线在S11= -10 dB的情况下,最大可容许约0.29 pF的寄生电容。此外,亦可采用类似的方法针对S21 Insertion Loss (插入损失) 进行 TVS 的电容评估,不论采用 S11 或 S21 的评估结果是相等的,因为对于对地电容造成的反射波功率即插入的功率损耗 (S21)。然而不同的传输接口,讯号衰减忍受程度都不同,各个系统设计时可以留给 TVS 的余量也不同,最后我们可以从各传输接口的眼图条件(讯号衰减程度)来判别TVS应该容许的寄生电容大小。

晶焱科技的高速接口ESD解决方案

晶焱科技拥有业界规格最高也最完整的高速接口ESD解决方案,USB、HDMI、LAN Port对应的解决方案应有尽有,可参考下表一。AZ5B9S-01F仅有0.18pF的寄生电容,在相同DFN0603的封装大小,提供业界最低的4.6V钳制电压,是保护USB4 Re-timer/Controller的最佳选择。晶焱在市场多年的耕耘,与客户的密切合作令晶焱的产品与市场完美接轨,帮助客户解决ESD的同时,更保证了高速接口的讯号质量。

Interface
Amazing Solution
Capacitance (Typ.)
Clamping Voltage at ESD 8kV
USB2.0 (D+/D-)
AZC399-04S
1.4 pF
9V
USB3.0 (Tx/Rx)
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
USB3.2 (Tx/Rx)
AZ176S-04F
0.29 pF
4.3V
USB4 (Tx/Rx)
AZ5B9S-01F
0.18 pF
4.6V
HDMI1.4 (TMDS)
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
HDMI2.0 (TMDS)
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
HDMI2.1 (TMDS/FRL)
AZ1123-04F
0.2 pF
10V
Display Port 1.4
AZ1143-04F
0.45 pF
9V
Display Port 2.0
AZ1123-04F
0.2 pF
10V
LAN 100M/1000M/2.5G
AZ1513-04S
AZ3133-08F
2.0 pF
1.7 pF
7.5V
12.5V
LAN 5G/10G
AZ1123-04F
AZ5B0S-01F
0.2 pF
0.18 pF
10V
5.5V
PCIE Gen4/Gen5
AZ5B9S-01F
0.18 pF
4.6V

Table 1. 晶焱科技提供的ESD解决方案

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 接口
    +关注

    关注

    33

    文章

    8597

    浏览量

    151150
  • TVS
    TVS
    +关注

    关注

    8

    文章

    786

    浏览量

    60613
  • 寄生电容
    +关注

    关注

    1

    文章

    292

    浏览量

    19234
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    半大马士革工艺:利用空气隙减少寄生电容

    本文介绍了半大马士革工艺:利用空气隙减少寄生电容。 随着半导体技术的不断发展,芯片制程已经进入了3纳米节点及更先进阶段。在这个过程中,中道(MEOL)金属互联面临着诸多新的挑战,如寄生电容
    的头像 发表于 11-19 17:09 534次阅读
    半大马士革工艺:利用空气隙减少<b class='flag-5'>寄生电容</b>

    AMAZINGIC科技:RF天线的ESD防护考量与方案

    AMAZINGIC科技:RF天线的ESD防护考量与方案
    的头像 发表于 11-15 15:03 381次阅读
    <b class='flag-5'>AMAZINGIC</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>焱</b>科技:RF天线的ESD防护考量与<b class='flag-5'>方案</b>

    高速ADC与FPGA的LVDS数据接口中避免时序误差的设计考虑

    电子发烧友网站提供《高速ADC与FPGA的LVDS数据接口中避免时序误差的设计考虑.pdf》资料免费下载
    发表于 10-15 09:50 5次下载
    <b class='flag-5'>高速</b>ADC与FPGA的LVDS数据<b class='flag-5'>接口中</b>避免时序误差的设计<b class='flag-5'>考虑</b>

    深入解析振时钟信号干扰源:寄生电容、杂散电容与分布电容

    和PCB布局过程中,对寄生电容、杂散电容和分布电容考虑和处理是至关重要的。特别是在处理高频信号如振时钟信号时,通过上述措施可以有效减小这
    发表于 09-26 14:49

    仿真的时候在哪些地方添加寄生电容呢?

    请问各位高手,仿真的时候在哪些地方添加寄生电容呢,比如下面的图, 另外一般万用板焊出来的杂散电容有多大?在高速运放仿真时应该加在哪些地方呢
    发表于 09-19 07:59

    在LF411CD的放大模块出现输出会发生振荡,请问该元件输入端(2端)与GND间的寄生电容多大?

    在LF411CD的放大模块出现输出会发生振荡,怀疑是寄生电容造成,请问该元件输入端(2端)与GND间的寄生电容多大? 谢谢~~
    发表于 09-10 07:51

    普通探头和差分探头寄生电容对测试波形的影响

    在电子测试和测量领域,探头是连接被测设备(DUT)与测量仪器(如示波器)之间的关键组件。探头的性能直接影响到测试结果的准确性和可靠性。其中,寄生电容是探头设计中一个不容忽视的因素,它对测试波形有着
    的头像 发表于 09-06 11:04 367次阅读

    如何正确选用SCR架构TVS以避免闩锁效应

    AMAZINGIC科技如何正确选用SCR架构TVS以避免闩锁效应
    的头像 发表于 08-12 18:31 1106次阅读
    如何正确选用SCR架构<b class='flag-5'>TVS</b>以避免闩锁效应

    igbt功率管寄生电容怎么测量大小

    IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种广泛应用于电力电子领域的功率器件。IGBT的寄生电容是指在IGBT内部由于结构原因产生的电容,这些电容会影响IGBT的开关速度和性能。 一、IGBT寄生电容
    的头像 发表于 08-07 17:49 844次阅读

    寄生电容器的基础知识详解

    电源纹波和瞬态规格会决定所需电容器的大小,同时也会限制电容器的寄生组成设置。
    的头像 发表于 03-17 15:45 2.3w次阅读
    <b class='flag-5'>寄生电容</b>器的基础知识详解

    详解MOS管的寄生电感和寄生电容

    寄生电容寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。 它们通常是由于电路布局、线路长度、器件之间的物理距离等因素引起的。
    的头像 发表于 02-21 09:45 2555次阅读
    详解MOS管的<b class='flag-5'>寄生</b>电感和<b class='flag-5'>寄生电容</b>

    提供系统内部电路中 主芯片内部电源提供 EOS 防护方案应用

    Amazingic科技:提供系统内部电路中 主芯片内部电源提供 EOS 防护方案应用
    的头像 发表于 01-24 10:22 540次阅读
    提供系统内部电路中 主芯片内部电源提供 EOS 防护<b class='flag-5'>方案</b>应用

    AMAZINGIC科技:面板产品应用的EOS最佳解決方案

    AMAZINGIC科技:面板产品应用的EOS最佳解決方案
    的头像 发表于 01-24 10:16 612次阅读

    PCB寄生电容的影响 PCB寄生电容计算 PCB寄生电容怎么消除

    寄生电容有一个通用的定义:寄生电容是存在于由绝缘体隔开的两个导电结构之间的虚拟电容(通常不需要的),是PCB布局中的一种效应,其中传播的信号表现得好像就是电容,但其实并不是真正的
    的头像 发表于 01-18 15:36 3001次阅读
    PCB<b class='flag-5'>寄生电容</b>的影响 PCB<b class='flag-5'>寄生电容</b>计算 PCB<b class='flag-5'>寄生电容</b>怎么消除

    在生产线或应用时,造成EOS破坏的原因

    AMAZINGIC科技:在生产线或应用时,造成EOS破坏的原因
    的头像 发表于 12-29 10:23 1169次阅读
    在生产线或应用时,造成EOS破坏的原因