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低压直流浪涌的整改案例?|深圳比创达EMC(下)

深圳比创达EMC 来源:jf_99355895 作者:jf_99355895 2023-07-05 10:34 次阅读

低压直流浪涌的整改案例?|深圳比创达EMC(下)

低压直流浪涌的整改案例?相信不少人是有疑问的,今天深圳市比创达电子科技有限公司就跟大家解答一下!

针对市面上各种快充型手机,其适配器输出的常规电压为5V DC,但若采用高压电流或者高压低电流的快充模式,最高输入电压有可能达到20V DC以上。

另外,USB充电头在插拔瞬间也易产生一些强干扰脉冲注入到端口中;因此,有必要对手机的相应端口进行耐压能力的评估测试。

在比创达的日常工作中,低压浪涌类测试整改项目也是最常见的项目之一;因端口防护设计不良造成的失效也是多种多样,包括IC芯片烧毁、产品关机/复位、端口器件烧毁等。

经过经验丰富的现场整改工程师定位整改后,绝大部分产品均能通过最优方案解决浪涌失效问题,那么低压直流浪涌的整改案例?接下来就跟着深圳比创达EMC小编一起来看下吧!

一、比创达整改案例

某TWS充电仓要求满足差模100V浪涌测试,40V注入无异常,但在50V注入时就出现了充电指示灯熄灭、无充电电流输入的异常:

定位分析发现:产品Type-C输入的最高电压为20V、同时后级被保护芯片的耐压为28V(根据多年的整改经验,一般被保护模块能承受的浪涌冲击电压是其直流耐压的1.4~1.5倍左右,即本款产品芯片应能承受40V左右的耐压,实际测试结果40V OK、50V Fail也说明了这一问题);所以选择的防护器件要保证反向截止电压大于20V、同时钳位电压务必要小于40V。

综合考量及现场实测,最终选择了22V防浪涌器件(BTRSF22A401,其规格参数如图5),其残压较低,保证不会烧毁芯片(选用其他高耐压的器件,虽然器件本身未被损坏,但因钳位会比较高,烧毁了几次芯片):

最终的解决方案为:如图6,Type-C输入的VCC对地加防浪涌器件。

经过整改,产品最终通过100V等级测试,复测验证多次均无异常。

二、总结

1、低压浪涌防护也是以泄放、钳位为主要手段,器件主要用TVSTSS

2、器件选型时需注意确保残压对后级被保护电路的影响同时,要注意端口自身的耐压;即保证被保护的模块得到保护的同时,也要保证防护器件本身不易损坏。

综上所述,相信通过本文的描述,各位对低压直流浪涌的整改案例都有一定了解了吧,有疑问和有不懂的想了解可以随时咨询深圳比创达这边。今天就先说到这,下次给各位讲解些别的内容,咱们下回见啦!

以上就是深圳市比创达电子科技有限公司小编给您们介绍的低压直流浪涌的整改案例的内容,希望大家看后有所帮助!

深圳市比创达电子科技有限公司成立于2012年,总部位于深圳市龙岗区,成立至今一直专注于EMC电磁兼容领域,致力于为客户提供最高效最专业的EMC一站式解决方案,业务范围覆盖EMC元件的研发、生产、销售及EMC设计和整改。

审核编辑 黄宇

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