霍尔效应测试仪,是用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数,而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的,因此是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必*的工具。
该仪器为性能稳定、功能强大、性价比高的霍尔效应仪,在国内高校、研究所及半导体业界拥有广泛的用户和知*度。仪器轻巧方便,易于携带,主要用于量测电子材料之重要特性参数,如载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或固体材料均可。
可测试材料:
半导体材料:SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和铁氧体材料,
低阻抗材料:石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR 材料,
高阻抗材料:半绝缘的 GaAs, GaN, CdTe 等
审核编辑 黄宇
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