0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星DRAM月产量降至两年来新低 行业频现库存改善信号

科创板日报 来源:科创板日报 2023-07-06 15:57 次阅读

三星、美光都计划将减产持续至明年。三家存储巨头都计划调涨DRAM的下一季度合约价,目标涨幅7%-8%。分析师指出,从第三季度开始,内存库存将全面下降。“这意味着我们或将进入一个可以寻求价格反弹的阶段。”

据韩媒今日报道,测算数据显示,7月三星将DRAM月产量削减至62万片晶圆,同比减少12%以上,创下了公司自2021年第三季度以来DRAM产量的新低。

半导体业内人士表示,三星的DRAM工厂中,除了采用最先进工艺制程的平泽园区之外,基本所有产线的DRAM产量都在下降。

距离三星4月宣布减产已过去了三个月,如今减产效果真正显现。

但这并不是全部,报道称三星内部计划将减产持续至明年,在半导体市场重回供需平衡之前,公司将避免扩产存储芯片。Omdia预计,明年下半年三星的DRAM月产量将保持在60万片,较目前水平进一步减少。

与此同时,三星也开始积极与主要客户重新谈判DRAM价格——外界认为,这也意味着三星正在逐渐摆脱库存过剩的负担。

上周已有消息指出,面对行业传统旺季,三星、SK海力士及美光三家存储巨头都计划调涨DRAM的下一季度合约价,目标涨幅7%-8%。

实际上,美光是三大存储巨头中最先开始减产的公司。同样在上周的财报电话会议上,美光表示,将扩大减产DRAM与NAND Flash,“近期,我们将DRAM和NAND Flash晶圆的投入进一步减少30%(之前为25%)”,且减产将持续到2024年。

SK证券研究员韩东熙预计,“从第三季度开始,内存库存将全面下降。这意味着我们或将进入一个可以寻求价格反弹的阶段。”

TrendForce近日在报告中表示,DRAM现货市场中,近期低价DDR4产品出现零星涨价;由于芯片供应充足,DDR5产品价格不断走低。之后该机构另一份报告指出,DRAM市场中买家与供应商已开始讨论第三季度合同,初步报价显示,DDR5与LPDDR5X产品价格进一步下跌的空间已经不大。

华鑫证券认为,存储芯片价格整体呈现下跌趋势变缓的状态,周期底部区间基本确认。存储行业周期性极强,本轮周期拐点或将来临。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • DRAM
    +关注

    关注

    40

    文章

    2334

    浏览量

    183979
  • 存储芯片
    +关注

    关注

    11

    文章

    903

    浏览量

    43323
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1628

    浏览量

    31608

原文标题:三星DRAM月产量降至两年来新低 行业频现库存改善信号

文章出处:【微信号:chinastarmarket,微信公众号:科创板日报】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星电子否认1b DRAM重新设计报道

    据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新一轮关注。 此前有报道指出,
    的头像 发表于 01-23 15:05 201次阅读

    三星否认重新设计1b DRAM

    据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级
    的头像 发表于 01-23 10:04 586次阅读

    三星1c nm DRAM开发良率里程碑延期

    据韩媒MoneyToday报道,三星电子已将其1c nm(1-cyano nanometer)DRAM内存开发的良率里程碑时间从原定的2024年底推迟至2025年6月。这一变动可能对三星在HBM4
    的头像 发表于 01-22 14:27 205次阅读

    三星重启1b nm DRAM设计,应对良率与性能挑战

    近日,据韩媒最新报道,三星电子在面对其12nm级DRAM内存产品的良率和性能双重困境时,已于2024年底作出了重要决策。为了改善现状,三星决定在优化现有1b nm工艺的基础上,全面重新
    的头像 发表于 01-22 14:04 296次阅读

    三星电子削减NAND闪存产量

    近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球NAND闪存市场面临供过于求的局面,预计今年NAND闪存
    的头像 发表于 01-14 14:21 243次阅读

    三星削减中国西安NAND闪存产量应对市场变化

    近日,三星电子宣布将对其在中国西安的NAND闪存工厂实施减产措施,以应对全球NAND市场供过于求的现状及预期的价格下滑趋势。据《朝鲜日报》报道,三星决定将该工厂的晶圆投入量削减超过10%,预计每月产量
    的头像 发表于 01-14 10:08 248次阅读

    三星电子第季度市值大幅缩水

    据韩国金融投资协会最新公布的数据,三星电子在韩国主板市场的月平均市值占比已降至两年来最低水平。这一变化引发了韩国社会的高度关注。
    的头像 发表于 10-08 14:39 345次阅读

    三星半导体营收超过台积电!

    来源:芯极速 编辑:感知芯视界 Link 近日,韩国媒体传出消息称,今年第二季度,三星电子半导体部门销售额可能近两年来首次超过台积电,标志着全球半导体行业竞争格局发生重大转变。 这是三星
    的头像 发表于 07-19 09:18 539次阅读

    三星半导体部门第二季度销售额或超越台积电

    在全球半导体行业风起云涌的浪潮中,三星电子再次成为焦点。据最新预测,2024年第二季度,三星电子的半导体部门营收有望近两年来首次超越台积电,这一潜在的历史性跨越不仅标志着半导体市场竞争
    的头像 发表于 07-17 15:21 587次阅读

    三星已成功开发16层3D DRAM芯片

    在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露
    的头像 发表于 05-29 14:44 881次阅读

    三星、SK海力士对DRAM和NAND产量持保守态度

    DRAM和NAND芯片的生产上,三星和SK海力士大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨,这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能,进而推
    的头像 发表于 05-22 14:54 622次阅读

    三星和SK海力士未恢复增产并计划限制DRAM产量

     根据行业预估,三星和SK海力士有望在今年扩展产量以应对逐步好转的半导体市场环境。然而,他们在今年一季度财政报告会上均表示,DRAM产量可能
    的头像 发表于 05-22 14:49 652次阅读

    在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?

    在机遇与挑战并存的AI时代,三星如何在DRAM领域开拓创新?
    发表于 05-09 18:46 547次阅读
    在机遇与挑战并存的AI时代,<b class='flag-5'>三星</b>如何在<b class='flag-5'>DRAM</b>领域开拓创新?

    三星2025年后将首家进入3D DRAM内存时代

    在Memcon 2024上,三星披露了款全新的3D DRAM内存技术——垂直通道晶体管和堆栈DRAM。垂直通道晶体管通过降低器件面积占用,实现性能提升;
    的头像 发表于 04-01 15:43 672次阅读

    三星电子推出首款36GB HBM3E 12H DRAM

    三星电子近期研发的这款36GB HBM3E 12H DRAM确实在业界引起了广泛关注。其宣称的带宽新纪录,不仅展现了三星在半导体技术领域的持续创新能力,也为整个存储行业树立了新的性能标
    的头像 发表于 03-08 10:04 905次阅读