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神经细胞膜电位变化的荧光成像

jf_64961214 来源:jf_64961214 作者:jf_64961214 2023-07-07 06:48 次阅读

wKgaomSnRNWAVMtzAADknoBLQ-w514.png

所用相机:

wKgZomSnRNWAZDcoAABdfRLvKpk876.jpg

ORCA-Flash4.0 V3(C13440-20CU)

成像方法:

宽场荧光

应用描述:

电压敏感的荧光蛋白定位于细胞膜上,与离子通道相偶联。神经细胞的膜电位变化会引起该蛋白荧光强弱的变化,从而使膜电位“可视化”。传统的CCD或普通高速CMOS相机由于灵敏度和帧速上限太低,往往和肉眼观察一样,分辨不出荧光信号的快速变化;该实验使用滨松Flash4.0 V3,在USB 3.0的连接方式下将帧速提高至1,0000 fps,使1 ms内的荧光变化也能够清晰的呈现出来。

# 详细描述

该实验使用胚胎期电转质粒的方式,让小鼠脑部特定类群的神经元表达电压敏感的荧光蛋白ASAP1,配合膜片钳系统对脑片中被标记的神经元给予电刺激,使其膜电位产生变化;同时利用Flash4.0 V3的超高速成像能力,捕捉荧光信号的实时变化。

1. 在512*128的ROI(region of interst)下,可以用1600 fps的帧速记录单个神经细胞胞体的膜电位变化。

wKgaomSnRNWADZwaAABz1V6skO0335.png

wKgZomSnRNWAUV8iAABRLe6E5ak075.jpg

2. 在512*8的ROI下,其帧速可以达到10000 fps。在该尺度下可以达到每个电位的Spike记录5-10个采样数据点,且其信号的信噪比仍然很好。

wKgaomSnRNWAQS1UAAC4S5g_l4g178.png

3. 成像系统配置:Olympus BX51WI + Hamamatsu Flash4.0 V3

wKgZomSnRNaACfMnAAEkGHaYSYY211.jpg



审核编辑 黄宇

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