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MSPM0L1306开发板教程- NVM(FLASH)

创易栈 来源:创易栈 2023-07-08 10:52 次阅读

MSPMPL系列中的NVM(Non Volatile Memory)非易失性存储,也就是我们常说的FLASH。

3a32dc56-1cae-11ee-962d-dac502259ad0.png

在MSPM0L系列的 FLASH中,一个Sector为1KB,一个Bank可达256KB,而MSPM0L系列中,大部分型号也就只有一个Bank,所以在只有一个Bank的型号中,Bank操作会涉及到整个片内的FLASH,FLASH控制器数据操作是Word操作,也就是4个字节,当然也支持1字节和2字节的写入操作。


下面以64KB FLASH的芯片举例,FLASH的地址分布如下,NONMAIN就是BSL区域,FACTORY为出厂预存数据。

3a707bba-1cae-11ee-962d-dac502259ad0.png

下面通过一个FLASH的写入的程序来看下FLASH写入流程:

3aae5232-1cae-11ee-962d-dac502259ad0.png

FLASH擦写操作无需SYSCONFIG的配置,可以直接调用函数来完成,每次执行完成擦写操作的时候,FLASH的写保护寄存器都会置位,也就是自动保护起来,所以下一次操作之前都需要重新解锁。

执行完成后,在keil中debug查找写入地址0x00001000的数据,已经成功写入所有的数据。

3ae068bc-1cae-11ee-962d-dac502259ad0.png

配套例程为NVM,需要复制到SDK目录下运行。





审核编辑:刘清

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原文标题:MSPM0L1306开发板教程12 - NVM(FLASH)

文章出处:【微信号:创易栈,微信公众号:创易栈】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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