MSPMPL系列中的NVM(Non Volatile Memory)非易失性存储,也就是我们常说的FLASH。
在MSPM0L系列的 FLASH中,一个Sector为1KB,一个Bank可达256KB,而MSPM0L系列中,大部分型号也就只有一个Bank,所以在只有一个Bank的型号中,Bank操作会涉及到整个片内的FLASH,FLASH控制器数据操作是Word操作,也就是4个字节,当然也支持1字节和2字节的写入操作。
下面以64KB FLASH的芯片举例,FLASH的地址分布如下,NONMAIN就是BSL区域,FACTORY为出厂预存数据。
下面通过一个FLASH的写入的程序来看下FLASH写入流程:
FLASH擦写操作无需SYSCONFIG的配置,可以直接调用函数来完成,每次执行完成擦写操作的时候,FLASH的写保护寄存器都会置位,也就是自动保护起来,所以下一次操作之前都需要重新解锁。
执行完成后,在keil中debug查找写入地址0x00001000的数据,已经成功写入所有的数据。
配套例程为NVM,需要复制到SDK目录下运行。
审核编辑:刘清
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原文标题:MSPM0L1306开发板教程12 - NVM(FLASH)
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