光电探测量采用脉冲激光照明半导体衬底并产生电子-空穴对。电子-空穴对扩散到传感器的电极,从而可以检测到由载流子扩散所引起的电压变化。扩散速率与薄膜电阻有关,测得的电压比约/皓与孩几乎呈线性关系。下图给出了激光脉冲和载流子扩散过程,它可以利用光电系统测量第一片电阻和第二片电阻的电压比。
安全性
所有的离子注入都使用有害的固体及气体,这些气体是有毒、易燃、易爆的或具有腐蚀性。高电压(通常高达250000V)用于工艺过程。
化学危险源
固体及气体的掺杂物被用于离子注入工艺中。锑、砷和磷都是常用的固体原材料,而三氢化神、三氢化磷与三氟化硼是常用的气体源材料。
锑(Sb)是一种易碎、银白色的有毒金属元素,用于N型掺杂物注入过程。直接与固体锐接触将导致皮肤和眼睛发炎。锑粉末有剧毒,直接接触将导致皮肤、眼睛与肺部发炎,也会损害心脏、肝脏以及肾脏。
砷(As)是有毒物质,直接与固体砷接触会导致皮肤与眼睛发炎,也会导致皮肤变色。神粉末有剧毒,直接接触将导致皮肤与肺部发炎,也会损害鼻子与肝脏,还有引起肺癌与皮肤癌的危险。
红磷(P)是注入工艺中最常使用的固体(N型掺杂物)材料之一,具有易燃性,可以通过摩擦起火。直接与红磷接触将导致皮肤、眼睛与肺部发炎。
三氢化砷(Ash3)通常作为砷的来源气体,是半导体工业中毒性最强的气体之一。只需0.5-4ppm的AsH3就可能感觉到如蒜头一样的味道,3ppm的剂量就能即刻危害生命及健康(ImmediateDangertoLifeandHealth,IDLH)o暴露在低浓度AsH3时,将引起鼻子与眼睛发炎,甚至只要暴露在500ppm下几分钟就会致命。三氢化砷也具有易燃性,当空气中的浓度达到4%〜10%时就变成爆炸性气体。
三氢化磷(PH3)通常是磷的来源气体,具有易燃性,而且在空气中的浓度高于1.6%时就会变成爆炸性气体。三氢化磷是具有鱼腥味的有毒气体,只需0.01〜5.00ppm就可以被察觉。IDLH界限是50ppm。暴露在低浓度PH’时将引起眼睛、鼻子与肺部发炎。暴露在10ppm会引起头疼、呼吸困难、咳嗽、胸痛、缺乏食欲、胃痛、呕吐和腹泻。
三氟化硼(BF3)通常作为硼的来源气体,具有腐蚀性,与水接触会形成氢氟酸。暴露在BF3中将引起严重的皮肤、眼睛、鼻子、喉咙与肺部发炎,也可引起肺积水。
B10H14是形成超浅结离子注入的材料之一,它是一种在室温下具有低蒸气压的固体。它有毒并可以通过皮肤吸收而影响中枢神经系统。美国职业安全及健康管理局(OSHA)允许暴露B10H14的极限值(PEL)为0.05ppm(0.3mg/m3)。
B18H22和硼烷(C2B10H12或CBH)是另外两个通过子离子注入形成硼超浅结USJ的掺杂材料,它们都是室温下具有非常低的蒸气压的固体材料。
审核编辑:刘清
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原文标题:半导体行业(一百八十八)之离子注入工艺(十八)
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