0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管,布局SiC生态系统

纳芯微电子 来源:未知 2023-07-10 15:45 次阅读

碳化硅(SiC)作为第三代宽禁带半导体材料,相较于硅(Si),具有更大的介电击穿强度、更快的饱和电子漂移速度和更高的热导率。这使得碳化硅在功率半导体器件方面表现出高耐压、高速开关、低导通电压和高效率等特性,从而降低了能耗并缩小了系统尺寸。特别是在光伏、储能、充电和电动汽车等高压大功率应用中,碳化硅材料的优势得以充分发挥。

纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品,该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。其在单相或三相PFC、隔离或非隔离型DC-DC电路中均能展现出卓越的效率特性,完美满足中高压系统的需求。

45cc59f4-1ef5-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

SiC二极管相较于传统硅基二极管具备明显优势

1.几乎零反向恢复电流

如下图所示,SiC二极管的反向恢复电流几乎为零,明显优于Si基并且该电流的大小不受正向导通电流、关断速度(di/dt)和结温的影响。

4603dbcc-1ef5-11ee-962d-dac502259ad0.png

2.提高开关频率

SiC二极管具备优异的反向恢复特性,可与高频开关器件配合使用,提高开关频率,从而减小系统整体的体积和成本。

3.较低的正向导通电压

相较于1200V的硅基二极管,SiC二极管采用肖特基结构,具备较低的正向导通电压。

4.更好的EMI结果

SiC二极管的较小反向恢复电流能够带来更好的EMI性能。

5.优秀的导热性能

SiC材料拥有更好的导热效果,有利于降低结温,进而提高系统的可靠性。

如下图所示,纳芯微的SiC二极管采用MPS结构设计,与传统的JBS结构相比,具有显著优势。MPS结构中的PN结构在大电流下更容易开启,通过向高电阻的漂移区注入少数载流子形成电导调节效应,从而显著降低漂移区的导通电阻。在保持器件正向导通电压不变的情况下,器件的抗浪涌电流能力得到显著增强。

462a02fc-1ef5-11ee-962d-dac502259ad0.png

纳芯微SiC二极管结构设计示意图

纳芯微NPD020N120A SiC二极管在额定电流下的正向导通电压实测典型值为1.39V,而单次浪涌电流的实测典型值可以达到220A,是正向额定电流的11倍,性能优于行业水平。

这意味着纳芯微的SiC二极管具有更低的正向导通电压,同时在面对瞬态高电流冲击时,具备更强的抗浪涌能力。这种性能优势使得纳芯微的SiC二极管在高功率应用中表现出色,为系统的可靠性和稳定性提供了重要保障。

4640f570-1ef5-11ee-962d-dac502259ad0.png

纳芯微具备完善且严格的质量管理体系。为客户提供最可靠的碳化硅二极管产品,我们在碳化硅芯片的生产过程中实施了严格的质量控制措施。每个碳化硅二极管产品都经过100%的静态电参数测试100%的抗雪崩能力测试为了验证产品的可靠性,我们按照JEDEC标准甚至更严格的测试条件进行验证。例如,在HTRB项目中,我们将电压耐受能力增加到100%的额定耐压(对于1200V系列二极管,即使用1200V进行HTRB可靠性实验)。同时,我们将测试时间从1000小时增加到3000小时等,以确保产品的可靠性。

纳芯微始终致力于确保产品质量和可靠性,我们的质量控制措施和严格的测试流程旨在提供给客户最可靠的碳化硅二极管产品。

# SiC MOSFET 发布预告

除了SiC二极管产品外,纳芯微也在积极研发和验证1200V SiC MOSFET产品,并将于近期推出。纳芯微的SiC MOSFET产品将经过全面的车规级验证,以确保完全符合汽车级应用的要求。

465e7442-1ef5-11ee-962d-dac502259ad0.jpg

467513f0-1ef5-11ee-962d-dac502259ad0.png免费送样

纳芯微SiC二极管系列产品目前可提供样品,如需申请样片或订购可邮件至sales@novosns.com,更多信息敬请访问www.novosns.com.


声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 纳芯微电子
    +关注

    关注

    0

    文章

    62

    浏览量

    2110

原文标题:纳芯微全新发布1200V系列SiC二极管,布局SiC生态系统

文章出处:【微信号:纳芯微电子,微信公众号:纳芯微电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    发布首款1200V SiC MOSFET,为高效、可靠能源变换再添助力!

    推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为
    的头像 发表于 10-29 13:54 192次阅读
    <b class='flag-5'>纳</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>发布</b>首款<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET,为高效、可靠能源变换再添助力!

    PiN二极管SiC二极管的区别

    PiN二极管(P-I-N Diode)和SiC二极管(Silicon Carbide Diode)在多个方面存在显著差异,这些差异主要体现在材料特性、工作性能、应用场景以及发展趋势等方面。以下是对两者区别的详细分析。
    的头像 发表于 09-10 15:40 305次阅读

    SiC二极管的工作原理和结构

    SiC二极管,即碳化硅二极管,作为第三代半导体材料的重要应用之一,其工作原理和结构在电力电子领域具有独特的重要性。以下将详细阐述SiC二极管
    的头像 发表于 09-10 15:09 704次阅读

    SiC二极管概述和技术参数

    SiC二极管,全称SiC碳化硅势垒二极管,也被称为SiC碳化硅肖特基二极管
    的头像 发表于 09-10 14:55 846次阅读

    Vishay威世新型第三代1200 V SiC 肖特基二极管,提升开关电源设计能效和可靠性

    新型碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 器件采用 MPS 结构设计,额定电流 5 A ~ 40 A 低正向压降、低电容电荷和低反向漏电流低 Vishay 推出 16 款新型第三代 1200 V
    的头像 发表于 07-05 09:36 611次阅读
    Vishay威世新型第三代<b class='flag-5'>1200</b> <b class='flag-5'>V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> 肖特基<b class='flag-5'>二极管</b>,提升开关电源设计能效和可靠性

    为什么SiC肖特基二极管不一样

    在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍N
    的头像 发表于 07-02 12:43 262次阅读
    为什么<b class='flag-5'>SiC</b>肖特基<b class='flag-5'>二极管</b>不一样

    推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列

    近期发布了其首款1200V SiC MOSFET产品——NPC060N120A
    的头像 发表于 05-13 15:27 847次阅读

    发布首款1200V SiC MOSFET

    近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A,其RD
    的头像 发表于 05-06 15:20 624次阅读

    推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品

    推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为
    的头像 发表于 04-17 14:02 656次阅读
    <b class='flag-5'>纳</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>微</b>推出<b class='flag-5'>1200V</b>首款<b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET NPC060N120A<b class='flag-5'>系列</b>产品

    发布首款1200V SiC MOSFET

    推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品,该产品RDSon为
    的头像 发表于 04-17 13:37 384次阅读
    <b class='flag-5'>纳</b><b class='flag-5'>芯</b><b class='flag-5'>微</b><b class='flag-5'>发布</b>首款<b class='flag-5'>1200V</b> <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET

    为什么所有的SiC肖特基二极管都不一样

    在高功率应用中,碳化硅(SiC)的许多方面都优于硅,包括更高的工作温度以及更高效的高频开关性能。但是,与硅快速恢复二极管相比,纯 SiC 肖特基二极管的一些特性仍有待提高。本博客介绍N
    的头像 发表于 04-01 04:50 318次阅读
    为什么所有的<b class='flag-5'>SiC</b>肖特基<b class='flag-5'>二极管</b>都不一样

    至信发布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片

    深圳市至信微电子有限公司(简称:至信)在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上,至信发布了一系列行业领先
    的头像 发表于 01-16 15:45 865次阅读

    SiC极管SiC二极管的区别

    SiC极管SiC二极管的区别  SiC极管SiC
    的头像 发表于 12-21 11:31 757次阅读

    SIC二极管电压过低不稳定的调试方法

    SIC二极管电压过低不稳定的调试方法  调试SIC二极管电压过低不稳定的问题需要遵循一定的步骤和方法。本文将详细介绍如何进行这样的调试,并提供一些常见的故障排除技巧。 第一步:检查电源
    的头像 发表于 12-21 11:31 633次阅读

    1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告

    1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告
    的头像 发表于 12-05 14:34 554次阅读
    1000h <b class='flag-5'>SiC</b> MOSFET体<b class='flag-5'>二极管</b>可靠性报告