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无线充电发射器(TX)解决方案

jf_94163784 来源:jf_94163784 作者:jf_94163784 2023-07-17 09:48 次阅读

日前,集设计研发、生产和全球销售一体的著名功率半导体及芯片供应商Alpha andomega Semiconductor Limited (AOS,纳斯达克代码:AOSL)发布一款全新的无线充电线圈驱动专用产品——AOZ32033AQl。该产品采用QFN3x3封装,提供30V输入电压、11mOhm导通电阻,是一款集成驱动电路与半桥N+N MOS管的专用芯片,能够驱动高侧和低侧N沟道MOS管。它具有SRC (Slew Rate Contro斜率控制)功能,可调整内置MOS管的驱动能力(sink & source)。在无线充电发射器(TX)电路设计中优化整体的功率转换效率,并提供效率和EMI优化之间的理想平衡。因此,该器件除了非常适合应用于无线充电TX电路的设计,还包括吸尘器、无人机、以及那些为获得最佳电源转换效率,由半桥/全桥拓扑和谐振回路电路组成的消费电子设备等。找元器件现货上唯样商城

与传统的方案(简易型驱动器加上离散半桥MOS管芯片)相比,AOZ32033AQI采用高度集成的封装,最多可减少40%的部件尺寸。该产品可在高达30W的高功率无线发射器(TX)电路中节省PCB板内空间,在缩小传输端驱动板设计的尺寸与重量的同时降低导通损耗,提高整体性能。此外,AOZ32033AQI可用于4V至28V的宽输入操作电压,整合了欠压锁定和过温保护等多重保护功能,使得方案设计更加稳健。

针对新发布的这款产品,AOS电源IC市场经理Colin Huang 表示:“随着无线充电的功率水平越来越高,越来越多的终端应用实现了消除物理连接器和电缆所带来的价值。AOS无线充电线圈驱动的专用产品为无线充电TX电路提供了一种高效、功率密集且具有较高性价比的解决方案。该集成方案提供了使用分立方案无法实现的保护功能,同时减少了工程设计周期和复杂性"。

技术亮点

·具有宽输入电压的30V整合半桥MOS管芯片可减小PCB尺寸;

·内置驱动器及高低侧的低 Rds,on MOS管,支持高达30W的TX电路设计;

·内置高侧MOS管驱动线路;

.可调栅极驱动电流控制,SRC(斜率控制)用于改善EMI和整体效率;

·多重保护功能(过温保护、欠压保护等);

·散热增强型封装QFN3x3;功率密集且具有较高性价比的解决方案。该集成方案提供了使用分立方案无法实现的保护功能,同时减少了工程设计周期和复杂性"。

审核编辑:汤梓红

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