0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星3nm GAA正式商业量产 首家客户及芯片型号被曝光

芯通社 来源:芯通社 2023-07-19 17:13 次阅读

大约一年前,三星正式开始采用其SF3E(3nm 级、早期全栅)工艺技术大批量生产芯片,但没有无晶圆厂芯片设计商证实其产品使用了该节点。

昨天TechInsights 发布报告称,其已证实中国比特微公司旗下的 Whatsminer M56S++ 加密货币矿机 ASIC 芯片中采用了来自三星的 3nm GAA 工艺,标志这 GAA 技术已经投入商业量产。

用于挖掘加密货币的 ASIC 往往是晶体管数量相对较少的小型设备,具有类似的重复逻辑结构和最少数量的 SRAM 位单元。这通常使得此类芯片,尤其是 Whatsminer M56S++,由于其生产简单性,非常适合用作最先进制造技术的管道清洁器。对于 Samsung Foundry 来说,将其 SF3E 用于加密货币挖掘 ASIC 等芯片是非常有意义的。

目前对Whatsminer M56S++ ASIC的信息不多,只知道基于该芯片的MictoBT矿机具有240-256 Th/s算力和22J/T能效。

三星发布的财务报表中写道:“我们正在批量生产第一代 3 纳米工艺,产量稳定,并且基于这一经验,我们正在开发第二代工艺,以确保更大的批量生产能力。”

虽然这两天,韩国媒体报道称三星3nm良率已经超过了台积电。但不幸的是,目前尚不清楚三星的 SF3E 目前是否用于加密货币挖矿芯片以外的应用。,

与三星第二代 5nm 级技术(SF5、5LPP)相比,SF3E(又名 3GAE)有望在保持相同复杂性和频率的同时将芯片功耗降低多达 45%,或者在同等功耗下将性能提高 23%。此外,它还可以将集成电路IC)占用的面积减少16%。






审核编辑:刘清

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 晶圆
    +关注

    关注

    52

    文章

    4835

    浏览量

    127760
  • 芯片设计
    +关注

    关注

    15

    文章

    1001

    浏览量

    54802
  • ASIC芯片
    +关注

    关注

    2

    文章

    91

    浏览量

    23720
  • SRAM存储器
    +关注

    关注

    0

    文章

    88

    浏览量

    13268

原文标题:实锤!三星 3nm GAA 正式商业量产,首家客户及芯片型号被曝光!

文章出处:【微信号:semiwebs,微信公众号:芯通社】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    三星3nm良率仅20%,仍不放弃Exynos 2500处理器,欲打造“十核怪兽”

    ,导致Exynos 2500良率不佳的原因是,这颗SoC基于三星第二代3nm GAA制程工艺——SF3工艺,然而目前第二代SF3工艺的良率仅
    的头像 发表于 06-25 00:04 3555次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b><b class='flag-5'>3nm</b>良率仅20%,仍不放弃Exynos 2500处理器,欲打造“十核怪兽”

    今日看点丨苹果 iPhone 16 Pro / Max 曝支持 Wi-Fi 7;三星:HBM3e先进芯片今年量产

    1. 三星:HBM3e 先进芯片今年量产,营收贡献将增长至60%   三星电子公司计划今年开始量产
    发表于 08-01 11:08 710次阅读

    三星电子发布为可穿戴设备设计的首款3纳米工艺芯片

    近日,三星电子震撼发布了其专为可穿戴设备设计的首款3纳米工艺芯片——Exynos W1000,标志着该公司在微型芯片技术领域的又一重大突破。这款尖端
    的头像 发表于 07-05 16:07 1355次阅读

    三星首款3nm可穿戴设备芯片Exynos W1000发布

    在科技日新月异的今天,三星再次以其卓越的创新能力震撼业界,于7月3日正式揭晓了其首款采用顶尖3nm GAA(Gate-All-Around)先进工艺制程的可穿戴设备系统级
    的头像 发表于 07-05 15:22 1599次阅读

    三星3nm芯片良率低迷,量产前景不明

    近期,三星电子在半导体制造领域遭遇挑战,其最新的Exynos 2500芯片3nm工艺上的生产良率持续低迷,目前仍低于20%,远低于行业通常要求的60%量产标准。这一情况引发了业界对
    的头像 发表于 06-24 18:22 1452次阅读

    台积电3nm工艺稳坐钓鱼台,三星因良率问题遇冷

    近日,全球芯片代工领域掀起了不小的波澜。据媒体报道,台积电在3nm制程的芯片代工价格上调5%之后,依然收获了供不应求的订单局面。而与此同时,韩国的三星电子在
    的头像 发表于 06-22 14:23 1132次阅读

    台积电3nm产能供不应求,骁龙8 Gen44成本或增

    在半导体行业的最新动态中,三星3nm GAA工艺量产并未如预期般成功,其首个3nm工艺节点SF3
    的头像 发表于 06-15 10:32 761次阅读

    AMD计划采用三星3nm GAA制程量产下一代芯片

    在近日于比利时微电子研究中心(imec)举办的2024年全球技术论坛(ITF World 2024)上,AMD首席执行官苏姿丰透露了公司的最新技术动向。她表示,AMD将采用先进的3nm GAA(Gate-All-Around)制程技术来
    的头像 发表于 05-31 09:53 579次阅读

    消息称三星第二代3nm产线将于下半年开始运作

    三星电子近日宣布,将在7月的巴黎Galaxy Unpacked活动中,向全球展示其最新研发的3nm技术芯片Exynos W1000。这款尖端芯片将首次应用于下一代Galaxy系列智能手
    的头像 发表于 05-14 10:27 406次阅读

    三星电子开始量产其首款3nm Gate All Around工艺的片上系统

    据外媒报道,三星电子已开始量产其首款3nm Gate All Around(GAA)工艺的片上系统(SoC),预计该芯片预计将用于Galax
    的头像 发表于 05-08 15:24 562次阅读

    三星电子澄清:3nm芯片并非更名2nm,下半年将量产

    李时荣声称,“客户对代工企业的产品竞争力与稳定供应有严格要求,而4nm工艺已步入成熟良率阶段。我们正积极筹备后半年第二代3nm工艺及明年2nm工艺的
    的头像 发表于 03-21 15:51 575次阅读

    三星电子3nm工艺良率低迷,始终在50%左右徘徊

    据韩国媒体报道称,三星电子旗下的3纳米工艺良品比例仍是一个问题。报道中仅提及了“3nm”这一笼统概念,并没有明确指出具体的工艺类型。知情者透露,尽管有部分分析师认为其已经超过60%
    的头像 发表于 03-07 15:59 712次阅读

    三星与Arm携手,运用GAA工艺技术提升下一代Cortex-X CPU性能

    三星继续推进工艺技术的进步,近年来首次量产了基于2022年GAA技术的3nm MBCFET ™ 。GAA技术不仅能够大幅减小设备尺寸,降低供
    的头像 发表于 02-22 09:36 606次阅读

    三星3nm良率 0%!

    来源:EETOP,谢谢 编辑:感知芯视界 Link 近期韩媒DealSite+报道,表示三星3nm GAA生产工艺存在问题,在尝试生产适用于Galaxy S25 /S25+手机的Exynos
    的头像 发表于 02-04 09:31 747次阅读

    三星:已实现AI芯片70%的产能,有信心对抗台积电

    三星代工业务计划提高HPC及汽车芯片销售比例,降低手机业务的占比,目标是通过提升3nm以下先进制程的成熟度,来吸引更多的AI半导体客户三星
    的头像 发表于 11-25 11:30 384次阅读
    <b class='flag-5'>三星</b>:已实现AI<b class='flag-5'>芯片</b>70%的产能,有信心对抗台积电