一个简单而有用的基于微处理器的Arduino全桥逆变器电路可以通过使用SPWM对Arduino板进行编程,并通过在H桥拓扑中集成一些MOSFET来构建。
在我们之前的一篇文章中,我们全面学习了如何构建简单的Arduino正弦波逆变器,在这里我们将看到如何将相同的Arduino项目应用于构建简单的全桥或H桥逆变器电路。
使用 P 沟道和 N 沟道 MOSFET
为了简单起见,我们将使用 P 沟道 MOSFET 用于高端 MOSFET,将 N 沟道 MOSFET 用于低侧
mosfet,这将使我们能够避免复杂的自举级,并实现 Arduino 信号与 mosfet 的直接集成。
在设计基于全桥的逆变器时,通常采用N沟道MOSFET,这确保了MOSFET和负载之间最理想的电流切换,并确保MOSFET更安全的工作条件。
然而,当使用 p 和 n 沟道 MOSFET 的组合时,MOSFET 上的击穿风险和其他类似因素成为一个严重的问题。
话虽如此,如果过渡阶段得到适当的保护,死区时间很短,则可以使开关尽可能安全,并且可以避免MOSFET的吹扫。
在此设计中,我专门使用了使用IC 4093的施密特触发NAND门,以确保两个通道之间的开关清晰,并且不受任何类型的杂散瞬变或低信号干扰的影响。
栅极 N1-N4 逻辑操作
当引脚 9 是逻辑 1,引脚 8 是逻辑 0 时
N1 输出为 0,左上角 p-MOSFET 导通,N2 输出为 1,右下角 n-MOSFET 导通。
N3 输出为 1,右上方 p-MOSFET 关闭,N4 输出为 0,左下角 n-MOSFET 关闭。
其他对角线连接的MOSFET发生完全相同的顺序,当引脚9为逻辑0,引脚8为逻辑1时
如上图所示,借助以下几点可以理解这款基于Arduino的全桥正弦波逆变器的工作情况:
Arduino 被编程为从引脚 #8 和引脚 #9 生成适当格式的 SPWM 输出。
当其中一个引脚生成 SPWM 时,互补引脚保持低电平。
上述引脚排列的相应输出通过IC
1的施密特触发NAND栅极(N4---N4093)进行处理。栅极全部布置为具有施密特响应的逆变器,并馈送到全桥驱动器网络的相关MOSFET。
当引脚#9产生SPWM时,N1反相SPWM,并确保相关的高端MOSFET响应并传导SPWM的高逻辑,N2确保低侧N沟道MOSFET也这样做。
在此期间,引脚#8保持在逻辑零(非活动),由N3 N4适当解释,以确保H桥的另一对互补MOSFET保持完全关断。
当SPWM生成从引脚#8过渡到引脚#9时,上述标准相同重复,并且设置的条件在Arduino引脚排列和全桥MOSFET对上连续重复。
电池规格
为给定的Arduino全桥正弦波逆变器电路选择的电池规格为24V / 100Ah,但是可以根据用户偏好为电池选择任何其他所需的规格。
转换器初级电压规格应略低于电池电压,以确保SPWM RMS在变压器的次级按比例产生约220V至240V。
4093 IC 引脚排列
IRF540 引脚排列详细信息(IRF9540 也将具有相同的引脚排列配置)
更简单的全桥替代方案
下图显示了使用 P 和 N 沟道 MOSFET 的替代 H 桥设计,该设计不依赖于 IC,而是使用普通 BJT 作为隔离 MOSFET
的驱动器。
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