随着硅材料在半导体和光电子领域的应用日益广泛,痕量金属元素对材料性能和质量的影响越来越大,高精度的硅材料痕量金属检测方法显得尤为重要。
季丰电子基于ICP-MS的硅材料痕量金属检测方法,具有高分辨率、高灵敏度和元素范围广泛的优势,能够同时检测多种金属元素,检出限达到ppt(parts per trillion)级别,相当于从100万立方米的水中测出1g物质。
季丰电子实验室设备先进,拥有千级洁净度的实验环境,实验员操作经验丰富,实验室体系运转良好。
在样品前,实验室会使用G5级别超纯酸前处理,金属杂质含量低于10ppt以此保证前处理过程不受污染,确保样品分析准确性。
在痕量金属检测方面,季丰电子CA实验室能够提供以下服务:
多晶硅、硅片表金属及体金属
杂质检测
多晶硅、硅片是半导体制造的重要原材料,其中的金属杂质对半导体器件的性能和稳定性有着重要影响。我们实验室能够对多晶硅、硅片表金属以及体金属杂质进行高灵敏度、高精度的检测,可达到ppt级别的金属杂质含量。
超纯酸金属杂质检测
超纯酸是半导体制造中常用的重要化学试剂,其中的金属杂质会直接影响半导体器件的性能。我们实验室能够对超纯酸中的金属杂质进行检测,检测精度达到ppt级别。
其他半导体相关材料痕量金属检测
除了多晶硅、硅片和超纯酸,我们实验室还能够对PE袋、手套、特种气体等相关材料中的其他金属杂质进行痕量分析,如钨、铜、铁、镍等,检测精度同样可以达到ppt级别。
审核编辑:刘清
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原文标题:高精度ICP-MS技术在硅材料痕量金属检测中的应用
文章出处:【微信号:zzz9970814,微信公众号:上海季丰电子】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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