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碳化硅MOSFET芯片取得新突破!

DT半导体 来源:DT半导体 2023-07-28 14:21 次阅读

近日,岳麓山大科城第二批核心技术攻关“揭榜挂帅”项目——《大功率碳化硅MOSFET及SBD芯片技术研究》取得重要研发突破,芯片综合性能赶上国际先进水平,部分指标实现领先。

早在2022年4月,大科城发布第二批核心技术攻关“揭榜挂帅”项目,该项目由浏阳泰科天润半导体技术有限公司(以下简称“泰科天润”)发榜,湖南大学和东莞天域半导体股份有限公司共同揭榜,聚焦新一代半导体产业链“卡链处”进行技术攻关。

作为发起单位,大科城对本次核心技术攻关“揭榜挂帅”项目予以单个项目最高300万元的资金补助,同时在项目实施、科研攻关、产业落地等方面进行全程跟踪帮扶,提供政策支持。

项目实施一年多来,针对本课题难点——碳化硅(SiC)MOSFET芯片研究部分,湖南大学国家电能变换与控制工程技术研究中心教授王俊、副研究员梁世维等科研人员在研发过程中,打破了国外专利壁垒,发明了“场板型分裂栅SiC MOSFET”。泰科天润则突破了高质量栅氧、表面钝化、高温变能多次离子注入等工艺难点,在成熟的6英寸碳化硅生产线完成了新型SiC MOSFET工程样品的研制工作,泰科天润的工程团队展现了深厚的碳化硅工艺能力,批次流片的一致性和稳定性得到了各专家的一致认可,为量产打下坚实的基础。

“经电学特性测试后,相应数据与国际SiC龙头企业美国科锐公司同类芯片产品的导通电阻相当。”王俊介绍,由于引入了场板分离型的分裂栅结构,芯片具有更低的反向传输电容,高频优值接近国外先进水平,较之传统平面栅结构器件指标数值明显改善。

在实测中,研究人员还发现本批次芯片开关性能有所提升,关断损耗较国外龙头企业同类产品低17%,将有效提升电能变换效率。以新能源汽车行业为例,这一领先优势将帮助提升电动汽车的续航里程。

泰科天润项目经理俞伟告诉记者,此次项目整体进度领先预期时效,研发课题组将继续深化合作,持续优化提升SiC 器件性能,提高制备工艺的稳定性,争取尽快实现相关产品的稳定量产和产业化应用,进一步提升湖南在第三代半导体产业领域的影响力,助力长沙打造全球功率半导体研发中心城市。

编辑:黄飞

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原文标题:“揭榜挂帅”见成效:碳化硅MOSFET芯片取得重要突破

文章出处:【微信号:DT-Semiconductor,微信公众号:DT半导体】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

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