半导体行业首席分析师scotten jones最近综合semicon west的信息,概括了asml high end产品的开发及应用现状和计划。
据Jones介绍,asml的nxe:3400b 45台、nxe:3400c 76台、nxe:3600d 75台等共出货了200台以上的nxe:3400/3600台,是euv产品中最多的nxe:3600d。第一个nxe 3800e预计将在第四季度上市。
euv光刻系统从2014年第一季度到2019年第四季度,nxe:3400c在客户端使用30 mj/cm2的电力,达到了约140芯片/小时的生产效率。nxe:3600d在现场的功率为30mj/cm2,略高于160 wph,在asml测试中达到185 wph。nxe:3800e的目标是220 wph以上。
nxe的实际工厂产量将持续增加,到2020年,年吞吐量超过50万晶圆的系统只有一个,2021年增至15个,2022年增至51个。
euv的问题之一是系统耗电量过大,根据asml的资料,euv持续提高能源效率,每片晶片的能耗减少了三倍。
![wKgaomTHF12AEpiDAATAms22Vy8992.png](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8E/6D/wKgaomTHF12AEpiDAATAms22Vy8992.png)
以新一代0.55 na euv为例,第一批exe:5000将于2024年初出厂,2025年投产,asml将与imec一起在贝尔德霍文工厂建设高级na euv演示实验室(demo lab), 2023年底前启动0.55 na euv resograb。
根据该计划,exe:5200的量产高值光圈暴露工具将于2025年初上市。
琼斯表示,如果缩小技术节点,0.55 na暴露工具最终也需要多图解,asml正在研究na约为0.75的“hyperna”工具,但尚未确定具体的变量。重要的问题是什么时候/需要这些工具。
在duv系列中,nt:2100i采用了4种新功能,今后d内存的逻辑及切割误差比1.3纳米大幅改善。
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