新品 | 用于高速开关应用的1200V EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET
增强型1代1200V CoolSiC MOSFET的EasyDUAL 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。
产品型号：
FF17MR12W1M1H_B11
17mΩ 1200V
FF17MR12W1M1H_B70
17mΩ 1200V 低热阻
FF17MR12W1M1HP_B11
17mΩ 1200V TIM版本
FF33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V
FF33MR12W1M1HP_B11
33mΩ 1200V TIM版本
产品特点
1200V CoolSiC MOSFET
Easy1B封装
Best-in-class 12毫米高度模块封装
非常低的模块寄生电感
RBSOA反向工作安全区宽
栅极驱动电压窗口大
PressFIT引脚
两个阻值型号都有带有热界面材料版本
应用价值
扩展了栅源电压最大值：+23V和-10V
在过载条件下，Tvjop最高可达175°C
最佳的性价比，可降低系统成本
可工作在高开关频率，并改善对冷却要求
竞争优势
引入新的M1H增强型1代芯片系列模块，Best-in-class 1200V Easy1B模块
采用英飞凌WBG材料，达到功率和效率的新水平
紧跟市场的新趋势，支持多种目标应用
应用领域
电机控制和驱动
不间断电源(UPS)
电动汽车充电
光伏系统的解决方案
储能系统
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7292浏览量
214599 -
高速开关
+关注
关注
1文章
17浏览量
9165
发布评论请先 登录
相关推荐
三菱电机1200V级SiC MOSFET技术解析
1200V级SiC MOSFET是一种能充分发挥SiC优势的器件，广泛应用于工业、汽车等领域。目前，1200V级SiC MOSFET被多家器
新品 | 第二代 CoolSiC™ 34mΩ 1200V SiC MOSFET D²PAK-7L封装
新品第二代CoolSiC34mΩ1200VSiCMOSFETD²PAK-7L封装采用D²PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代CoolSiCG21200VMOSFET系列以第一代技术的优势为
瞻芯电子推出采用TC3Pak封装的1200V SiC MOSFET
为了满足高密度的功率变换的需求，瞻芯电子推出2款新型TC3Pak（Topside Cooling D3Pak）顶部散热型、表面贴封装1200V碳化硅（SiC）MOSFET产品，具有低损耗、散热性强等特点，让系统设计更紧凑、更高效，组装时能自动化生产。
采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机驱动器
驱动器板。设计用于评估采用TO-263-7封装的第二代1200VCoolSiC™ MOSFET。 采用IMBG120R040M2H作为三相逆变器板的功率开关。驱动电路采用了具有米勒钳位
2.5nH超低电感的1200V SiC MOSFET三相全桥模块
1200V三相全桥碳化硅功率模块，杂散电感低至2.5nH，工作安全稳定。工作电源电压可达900V-1000V，工作频率可达30kHz，输出功率可达300kW。LPD模块具有耐久、安全的性能优势，性价比超国外产品，适用于电动汽车、
新品 | 采用第二代1200V CoolSiC™ MOSFET的集成伺服电机的驱动器
新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服电机的驱动器REF-DR3KIMBGSIC2MA是为集成伺服电机的驱动器应用而开发的升级版逆变器和栅极驱动器板。设计用于评估采用
1200V GaN又有新玩家入场，已进入量产
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近，又有国内GaN厂商成功突破1200V GaN器件技术。7月26日，宇腾科技在社交平台上宣布公司自主研发生产的蓝宝石基GaN功率器件工作电压达到1200V，已进入
瞻芯电子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通过车规级可靠性测试认证
近日，上海瞻芯电子科技股份有限公司（简称“瞻芯电子”）基于第三代工艺平台开发的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET产品（IV3Q12013T4Z）通过了车规级可靠性(AEC-Q101)测试
Nexperia发布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia（安世半导体）近日宣布，公司推出了业界领先的1200V碳化硅（SiC）MOSFET，标志着其在高功率半导体领域的又一重要突破。
先导中心推出1200V 100A三电平全碳化硅模块新品
在成功发布首款1200V 100A H桥全碳化硅模块后，先导中心再度展现了其技术实力，推出了全新的1200V 100A 三电平全碳化硅模块。
纳芯微发布首款1200V SiC MOSFET
纳芯微近日重磅推出了其首款1200V SiC MOSFET系列产品NPC060N120A，其RDSon值低至60mΩ，展现了出色的导电性能。这款产品提供了通孔式TO-247-4L和表面贴装TO-263-7L两种封装形式，满足车规与工规不同等级的需求。
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET
安森美发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET—M3S
安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。
英飞凌新品—CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列的产品特点
CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ。由于采用了.XT互联技术，CoolSiC技术的输出电流能力强，可靠
工商网监
评论