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6.5A,2300V单通道隔离式栅极驱动器评估板(配SiC MOSFET)

英飞凌工业半导体 2023-07-31 17:55 次阅读

新品

6.5A,2300V单通道隔离式栅极

驱动器评估板(配SiC MOSFET

6f7b24a8-2f88-11ee-bbcf-dac502259ad0.png

EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半桥电路,用两个栅极驱动IC1ED3142MU12F来驱动IGBT、MOSFET和SiC MOSFET等功率开关。

该板预装了两个CoolSiC SiC MOSFET IMZA120R020M1H,一个额外的栅极驱动IC用于隔离从上桥臂到逻辑控制侧的过流反馈信号,采用快速运算放大器做过流检测比较器,评估板最适合于双脉冲测试。

产品型号:

Eval-1ED3142MU12F-SiC

所用器件:

1ED3142MU12F 6.5A,

2300V单通道隔离式栅极驱动器

IMZA120R020M1H

20mΩ 1200V SiC MOSFET

产品特点

EiceDRIVER紧凑型单通道隔离栅极驱动器1ED31xx系列(X3紧凑型系列)。

用于650V/1200V/1700V/2300V

/IGBT,Si和SiC MOSFET驱动

2300V的功能偏移电压可用于相应的应用

电隔离的无磁芯变压器栅极驱动器

6.5A源和灌峰值输出电流典型值

35V绝对最大输出电源电压

45ns的传输延迟,20ns的输入滤波器

应用价值

集成滤波器减少了对外部滤波器的需求

严格的IC到IC传输延迟匹配(最7ns),提高了应用的稳健性,不会因老化、电流和温度而产生变化

适合在高环境温度和快速开关应用中运行

UL 1577(计划)VISO=3.6kV(rms)1秒,3.0kV(rms)1分钟

应用领域

电动汽车充电

电机控制和驱动

服务器电源

光伏系统的解决方案

不间断电源(UPS)

产品框图

6ff1a25e-2f88-11ee-bbcf-dac502259ad0.png

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    <b class='flag-5'>隔离</b><b class='flag-5'>式</b><b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>的演变(IGBT/<b class='flag-5'>SiC</b>/GaN)