用于实时数据记录的最佳非易失性存储器

实时数据处理的需求在飞速增长，在各行各业均已得到证实。而我们同时也看到，各行业、企事业单位对于实时数据处理的需求，与其目前的项目开发方式和配套工具不适配的问题也在逐渐凸显。加贺富仪艾电子旗下代理品牌富士通半导体存储器解决方案有限公司提供的一款 4Mbit FeRAM MB85RS4MT，是富士通 FeRAM 非易失性存储器串行接口系列中密度最高的产品。目前已实现量产产品。

在不断变化的环境中，随着传感器信息数据量的增加和边缘计算的扩展，客户提出了许多要求，他们希望增加读/写周期、缩短数据写入时间并提高存储密度。这款新产品是为了满足对现有 EEPROM 不满意的客户的要求而提供的解决方案。

MB85RS4MT 非常适合需要实时或频繁数据记录的各种应用，例如行车/导航记录仪、工业机器人、计算机数控 (CNC) 机床、测量设备、智能电表和消费设备。

MB85RS4MT封装

4Mbit FeRAM 产品 MB85RS4MT是富士通半导体的串行外设接口 (SPI) 产品 FeRAM 系列中密度最高的。富士通半导体近20年来量产的FeRAM非易失性存储器产品具有高读写耐久性、高速写入操作和低功耗等特点。

该 FeRAM 产品可保证 10 万亿次读/写周期，约为竞争性非易失性存储器 EEPROM 的 1000 万倍。

因此，即使MB85RS4MT用于边缘计算中传感器信息的频繁数据记录的存储器，保证的读/写周期限制也不会成为客户产品设计的瓶颈。（图1）

图1：读/写周期比较

FeRAM 产品还具有高速写入操作的特点，通过覆盖序列写入数据，无需擦除操作。而传统的非易失性存储器（如 EEPROM 和闪存）除了正常的写入操作之外还需要额外的时间进行擦除操作。

这种快速写入操作有助于保护数据免受突然电压下降（例如写入期间断电）的影响。（图2）

图2：写入时间比较（电压下降时）

由于 MB85RS4MT 在 1.8V 至 3.6V 的宽电源电压范围内工作，因此它可与其他工作电压为 1.8V 或 3.6V 的外围电子元件一起用于客户端产品。其工作电流非常小，1MHz工作时最大工作电流为250μA，最大待机电流为50μA。这意味着，该 FeRAM 产品由于其低工作电压和低工作电流而具有低功耗的优势。

FeRAM 产品采用行业标准的 8 引脚 SOP 封装，可以轻松替换 8 引脚 SOP 中的现有 EEPROM。这使得客户能够改用 FeRAM 产品，而无需对最终产品中的主板进行重大设计更改。

MB85RS4MT的主要规格

关于富士通半导体存储器解决方案有限公司富士通半导体存储器解决方案有限公司（原富士通半导体存储事业部）成立于2020年3月，可为客户提供存储器产品和各种解决方案，主要是基于铁电随机存取存储器（FeRAM），这是一种高质量、高可靠性的非易失性存储器。作为下一代存储器，富士通半导体存储器解决方案已经开始批量生产ReRAM（电阻式随机存取存储器），它在读取数据时需要更少的功率，是小型可穿戴设备的理想选择，同时还在开发以碳纳米管为材料的非易失性存储器（NRAM）。更多详情请访问：https://www.fujitsu.com/jp/group/fsm/en/products/feram/。

关于加贺富仪艾电子（上海）有限公司

加贺富仪艾电子（上海）有限公司原为富士通电子，其业务自2020年12月并入加贺集团，旨在为客户提供更好的优质产品和服务。在深圳、大连等地均设有分公司，负责统筹加贺富仪艾电子在中国的销售业务。加贺富仪艾电子（上海）有限公司的主要销售产品包括Custom SoCs (ASICs), 代工服务，专用标准产品(ASSPs)，铁电随机存储器，继电器，GaN（氮化镓），MCU和电源功率器件，它们是以独立产品及配套解决方案的形式提供给客户，并广泛应用于高性能光通信网络设备、手持移动终端、影像设备、汽车、工业控制、家电、穿戴式设备、医疗电子、电力电表、安防等领域。更多详情请访问：https://www.kagafei.com.cn。

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原文标题：用于实时数据记录的最佳非易失性存储器

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