某碳化硅 SiC 和 氮化镓 GaN 供应商新推出了三款 50V 分立氮化镓高电子迁移率晶体管 HEMT 芯片, 分别是: 20W, 6GHz 芯片;75W, 6GHz 芯片以及 320W, 4GHz 芯片, 从而使得该系列的产品数量达到 5种, 这一系列是目前市场上唯一的商用 50V 裸芯 GaN HEMT 芯片.
Gel-Pak VR 真空释放盒为 50V GaN HEMT 芯片提供储存和运输解决方案
50V GaN HMET 芯片采用上海伯东美国 Gel-Pak VR 真空释放盒进行包装, Gel-Pak 采用了无残胶的膜技术, 可以将芯片牢固地固定住, 避免在运输和储存过程中因为碰撞等造成芯片的损害.
上海伯东美国 Gel-Pak VR 真空释放胶盒, 胶盒表面在网状材料上使用专有的 Gel 胶或无硅 Vertec™ 胶膜将芯片固定在适当位置, 通过在托盘底侧施加真空将芯片释放. Gel-Pak 真空释放盒适用于大批量器件自动拾取和放置应用, 特别是超薄芯片.
Gel-Pak VR 真空释放胶盒特点:
适合大多数的芯片尺寸
适用于手动操作 (真空吸笔) 或自动拾取设备 ( Pick &Place 设备)
适用于运输或处理易碎的器件( 比如减薄的 InP 磷化铟晶圆)
通常应用在 2英寸和 4英寸的托盘
可以用来运输晶圆或者大尺寸超薄器件
适用于对清洁度要求高的场合
-
芯片
+关注
关注
453文章
50360浏览量
421635 -
SiC
+关注
关注
29文章
2757浏览量
62430 -
GaN
+关注
关注
19文章
1917浏览量
72940
发布评论请先 登录
相关推荐
评论