在半导体行业中,Bump、RDL、TSV、Wafer合称先进封装的四要素,其中Bump起着界面互联和应力缓冲的作用。
Bump从倒装焊FlipChip出现就开始普遍应用,Bump的形状有多种,最常见的为球状和柱状,也有块状等其他形状,下图所示为各种类型的Bump。
Bump起着界面之间的电气互联和应力缓冲的作用,从Bondwire工艺发展到FlipChip工艺的过程中,Bump起到了至关重要的作用。随着工艺技术的发展,Bump的尺寸也变得越来越小,从最初 Standard FlipChip的100um发展到现在最小的5um。
伴随着工艺技术的高速发展,对于Bump的量测要求也不断提高,需要把控长宽尺寸,高度均匀性,亚纳米级粗糙度、三维形貌等指标。
以粗糙度指标为例,电镀工艺后的Cu 表面粗糙并存在一定的高度差,所以键合前需要对其表面进行平坦化处理,如化学机械抛光(CMP),使得键合时Cu 表面能够充分接触,实现原子扩散,由此可见把控Bump表面粗糙度是必不可缺的过程。
为了贴合工艺制程,积极响应客户Bump 计量需求,中图仪器以高精度、多功能合一等优势将自研量测设备推向众多优质半导体客户。BOKI_1000系统支持键合、减薄、翘曲和切割后的基板,可以为包括切割后、预键合、铜焊盘图案化、铜柱、凸块(Bump)、硅通孔(TSV)和再分布层(RDL)在内的特征提供优异的量测能力。
以上为量测Bump时的实时图像
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