01 导言和概述
导言和概述
本数据表描述了台积电40nm ULP工艺中的TetraMem ADC IP。它的特点是:
占地面积小,适用于低速和多通道应用
异步架构,不需要外接高速时钟
可根据要求提供带隙
以下是主要规格表:
02ADC方框图
该IP的主要目标市场是物联网、模拟人工智能或温度传感器的低面积、低功耗和低速应用。以下是IP的框图:
我们设计了一个定制电容DAC(CDAC)阵列,其单位面积是业界最小的,可显著减少IP面积和开关能耗。此外,我们仔细调整性能敏感的电路,如比较器,基准驱动器等,以达到最佳的PPA组合。最后,我们使用了一个专有的带隙,以实现稳定的工作条件下,整个PVT的角落。
03ADC PIN描述
04ADC功率性能区
总功率:52uW
VDDA : 18uA x 0.9=16.2uW
AVDDH : 19uA x 1.8= 36uW
跨PVT角落的ENOB:7.3位
面积:7.76um x 120um = 931um2
Walden FoM = P /( fs x2 ^ ENOB )= 52u / (10M x 2 ^7.3)= 34FJ/凸步
05硅表征结果
2023年第三季度上市
06晶体管/金属使用
核心晶体管:LVT、ULVT
高压晶体管:1.8V晶体管
电容器:定制MOM和铸造PDK MOM
金属化:1P6M
电源:0.9V(铁芯),1.8V(高压)
审核编辑:汤梓红
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原文标题:IP推荐:40nm ADC
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