美浦森N沟道超级结MOSFET SLH60R028E7

SLH60R028E7是一款600V N沟道多层外延工艺的超结MOS，由于MOSFET的导通电阻随着击穿电压的上升而迅速增大，故在高压领域，普通MOSFET导通阻抗大，难以满足实际应用需要。超结MOSFET兼具高耐压特性和低电阻特性，对于相同的击穿电压和管芯尺寸，其导通电阻远小于普通高压VDMOS，因此常用于高能效和高功率密度的快速开关应用中。

封装

特性

美浦森SJ-MOSFET采用了国际先进的多层外延工艺，RSP水平与国际主流品牌相当。

该工艺的超结MOS产品应用可靠性更高，EAS及EMI通过性更好。

具有内阻低，抗冲击能力强，结电容低，可靠性高，品质稳定等特点。入偏置电流：1nA（最大值）

应用范围

● LED电源	● PD电源
● PC和服务器电源	● 光伏逆变
● UPS	● 充电桩
● 智能家居	● BLDC
● BMS	● 小家电

主要器件

产品型号	封装外形	导通电阻-RDS （On） [R](Max)
SLH60R043E7D	TO-247	0.043
SLH60R041GTDI	TO-247	0.041
SLH60R040E7	TO-247	0.040
SLH60R030E7D	TO-247	0.030
SLH60R028E7	TO-247	0.028
SLH65R039GTDI	TO-247	0.039

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