实现牵引AI技术革新的最高性能,将于明年上半年投入量产
有望继HBM3后持续在用于AI的存储器市场保持独一无二的地位
“以业界最大规模的HBM量产经验为基础,扩大供应并加速业绩反弹”
2023年8月21日,SK海力士宣布,公司成功开发出面向AI的超高性能DRAM新产品HBM3E*,并开始向客户提供样品进行性能验证。
SK海力士强调:
公司以唯一量产HBM3的经验为基础,成功开发出全球最高性能的扩展版HBM3E。并凭借业界最大规模的HBM供应经验和量产成熟度,将从明年上半年开始投入HBM3E量产,以此夯实在面向AI的存储器市场中独一无二的地位。
据公司透露, HBM3E不仅满足了用于AI的存储器必备的速度规格,也在发热控制和客户使用便利性等所有方面都达到了全球最高水平。
此次产品在速度方面,最高每秒可以处理1.15TB(太字节)的数据。其相当于在1秒内可处理230部全高清(Full-HD,FHD)级电影(5千兆字节,5GB)。
与此同时,SK海力士技术团队在该产品上采用了Advanced MR-MUF*最新技术,其散热性能与上一代相比提高10%。HBM3E还具备了向后兼容性(Backward compatibility)**,因此客户在基于HBM3组成的系统中,无需修改其设计或结构也可以直接采用新产品。
英伟达Hyperscale和HPC部门副总裁伊恩·巴克(Ian Buck)表示:
英伟达为了最先进加速计算解决方案(Accelerated Computing Solutions)所应用的HBM,与SK海力士进行了长期的合作。为展示新一代AI计算,期待两家公司在HBM3E领域的持续合作。
SK海力士DRAM商品企划担当副社长柳成洙表示:
公司通过HBM3E,在AI技术发展的同时备受瞩目的HBM市场中有效提升了产品阵容的完成度,并进一步夯实了市场主导权。今后随着高附加值产品HBM的供应比重持续加大,经营业绩反弹趋势也将随之加速。
* HBM(High Bandwidth Memory):垂直连接多个DRAM,与DRAM相比显著提升数据处理速度的高附加值、高性能产品。HBM DRAM产品以HBM(第一代)、HBM2(第二代)、HBM2E(第三代)、HBM3(第四代)、HBM3E(第五代)的顺序开发。HBM3E是HBM3的扩展(Extended)版本。
* MR-MUF:将半导体芯片堆叠后,为了保护芯片和芯片之间的电路,在其空间中注入液体形态的保护材料,并进行固化的封装工艺技术。与每堆叠一个芯片时铺上薄膜型材料的方式相较,工艺效率更高,散热方面也更加有效。
** 向后兼容性(Backward compatibility):指在配置为与旧版产品可兼容的IT/计算系统内,无需另行修改或变更即可直接使用新产品。例如,对CPU或GPU企业,如果半导体存储器新产品具有向后兼容性,则无需进行基于新产品的设计变更等,具有可直接使用现有CPU/GPU的优点。
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原文标题:突破!SK海力士开发出全球最高规格HBM3E
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