KUU推出SGT MOSFET新品 KM4110N-568
KUU推出采用DFN5*6-8L无铅塑料封装的N-SGT MOSFET产品KM4110N-568。产品使用先进的屏蔽栅沟槽（Shield Gate Trench）技术，同时降低了器件导通电阻Ronsp和栅极电荷Qg，得到更小的品质因数FOM（Rdson*Qg）。采用这一先进技术有效提高了器件的开关速度，降低了开关损耗，配合以先进的终端设计和封装技术，使器件具有更优异的性能和更强的可靠性。
这款KM4110N-568作为N-SGT MOSFET，其产品参数：具有110A电流、40V电压，RDS(on) =2.3mΩ，最高栅源电压VGS =±20 V，广泛使用在AC-DC/DC-DC的同步整流、变流器、电动工具等。
产品优势
1、极低的Rdson
2、极低的Qg和Qgd
3、更快的开关速度
4、更低的开关损耗
典型应用方案
使用这款N-SGT MOSFET，保证其耐压性能，能抵抗高浪涌电流冲击，具有更低导通损耗，可节省电能，适合多管并联。
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