该 200 瓦 MOSFET 放大器电路基于传统图解:对称差分输入级、共源共栅级驱动器和 MOSFET 输出级。它很容易用通用组件构建,而且价格便宜。该电路非常紧凑,由两个子系统组成:控制级和输出级。
该电路的功率输出为 8 欧姆时 200 Wrms 或 4 欧姆时 350 Wrms。失真度小于0.02%,阻尼因数大于300,信号/噪声比112 dB(全功率下平衡),输入灵敏度为1.2伏(200瓦/8欧姆)。
T5 和T6 周围承载+/-1 mA 的电流源。二极管D1至D6允许使用低噪声型BC560C和BC550C晶体管,晶体管T7至T10是驱动级。电位器 P1 允许将每个输出晶体管的静态电流设置为 100 mA。
对称功率委托给大型变压器 625 VA、2 * 51 伏 + 桥式整流器和 4700 uF 电容器 6,从而为每轨提供 + 和 – 70 伏的输出电压。
笔记 :
晶体管 T9 和 T10 必须组装在热阻为 5° c/w 的共用散热器上或输出级散热器上。
PCB 的接地点和扬声器接地点必须与 PSU 的 0 伏星形连接。
功率晶体管必须组装在热阻小于1°C/W的散热器上。它们还必须使用云母绝缘体+导热化合物或硅树脂绝缘体与散热器电绝缘。
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