台湾通嘉LD7575PS/PN的LEDZH照明方案结构说明
LD7575PS/PN是一款电流模式PWM控制器，具有出色的节能运行。它具有高压电流源，可直接从大容量电容器提供启动电流，并进一步提供无损启动电路。集成的功能，如电流检测的前沿消隐，内部斜率补偿和小型封装，为用户提供了高效率，最少的外部元件数量，以及AC / DC电源应用的低成本解决方案。
此外，嵌入式过压保护，过载保护和特殊绿色模式控制为用户提供了轻松设计高性能电源电路的解决方案，采用SOP-8和DIP-8封装。
特点
- 高压（500V）启动电路
- 电流模式控制
- 非声音噪声绿色模式控制
- UVLO（欠压锁定）
- CS引脚上的LEB（前沿消隐）
- 可编程开关频率
- 内部斜率补偿
- Vcc上的OVP（过压保护）
- OLP（过载保护）
- 500mA驱动能力
应用
- 开关AC / DC适配器和电池充电器
- 开放式框架开关电源
- 液晶显示器/电视电源
需方案请联系!!!
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
led照明
+关注
关注
34文章
2639浏览量
142601 -
LED芯片
+关注
关注
40文章
618浏览量
84283
发布评论请先 登录
相关推荐
LD7575PS
，为用户提供了高效率、最少的外部元件数量和低成本的 AC/DC 电源应用解决方案。
此外，嵌入式过压保护、过载保护和特殊的绿色模式控制为用户提供了轻松设计高性能电源电路的解决方案。LD7575 采用 SOP-8 和 DIP-8
发表于 08-28 17:25
晶体管是由几个pn结构成的
晶体管是由 两个PN结构成 的。具体来说，晶体管内部包含三个区域：发射区、基区和集电区，这三个区域通过不同的掺杂方式在同一个硅片上制造而成，并形成了两个PN结。这两个PN结分别称为发射
掺杂对PN结伏安特性的影响
掺杂对PN结伏安特性的影响是半导体物理学中的一个重要议题。PN结作为半导体器件的基础结构，其性能在很大程度上取决于掺杂浓度、掺杂类型以及掺杂分布等因素。以下将详细探讨掺杂对PN结伏安特
PN结正向偏置和反向偏置的原理
PN结正向偏置和反向偏置是半导体器件（如二极管、晶体管等）中非常重要的两种工作状态，它们的工作原理基于PN结独特的电学性质。以下将详细阐述PN结正向偏置和反向偏置的原理，并结合相关数字和信息进行
CR5842 65W离线式开关电源IC可代换OB5269/LD7575-CR5842参数规格书
供应CR5842 65W离线式开关电源IC可代换OB5269LD7575，是启臣微代理商，提供CR5842参数规格书等，更多产品手册、应用料资请向骊微电子申请。>>
发表于 03-28 10:38
•4次下载
AD7575-8配置成测内部温度时，发现测出来的数据就不对是为什么？
AD7575-8需要用到里面温度数据，其他通道测试外接的电压数据正确，配置成测内部温度时，发现测出来的数据就不对了。
单极性输出 0F 20 E2
双极性输出8795 A0
代入公式，数据就完全不对了。这里说到要校准什么的，不知道是否相关。现在主要问题是电压数据正确，温度不对了。请大佬解析
发表于 12-08 07:15
平衡PN结能带图讲解
上期简单描述了下PN结的基本结构和耗尽区的形成过程，为方便后续定量研究，还是要从能带图入手，先看下平衡PN结的能带图吧，通过能带图，可以获得PN结的很多有用的信息。
PN结对IGBT器件的重要性
IGBT与功率MOS最大的区别就是背面多了一个pn结，在正向导通时，背面pn结构向N-区注入空穴，使得N-区的电阻率急剧减小（即电导调制效应）。
工商网监
评论