方案名称
远翔DC-DC电源管理大功率升压恒压芯片FP5207B DFN-10L(EP)封装 带软启动可调频率可调
芯片概述
FP5207B是一款大功率异步升压恒压芯片,外置N沟MOS驱动,与肖特基和电感形成回路组成升压架构;工作电压低至2.8V启动,可适用已单节电池供电,高至24V宽压工作,甚至可通过外部三极管稳压高压供电;恒压基准(VFB)为1.2V±2%,电压高误差小,提高输出的准确度;工作频率(RT)可调为100-1000KHz,可根据需求调整频率段;软启动(SS)可调,可根据需要启动时间来调整。
芯片特色
效率高达90%以上
低功耗,芯片关机功耗最低3uA
启动电压2.8V,稳定工作电压5-24V,扩展电压为24-48V
恒压基准值为1.2V±2%
工作频率100-1000KHz
芯片软启动可调(SS)
芯片输入具有可调过流保护(OCP)
芯片输入低压保护(UVP)
芯片具有过温保护(OTP)
脚位描述
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线路图
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应用元件
C1、C7:输入与输出稳压电容。
C2、C6、C8:高频噪声滤波电容。
C3:输入电源接 HVDD 经过内部稳压管到 VDS 产生 8V,此电压会提供内部电路与 EXT Pin驱动外部 Q2 的闸极,需要加稳压电容。
C4、C5、C13、R1、R5:系统的补偿回路,关系到系统的稳定度。
C17:软启动电容,改变电容值调整启动时间。
L1:电感具有储能与滤波功用,感值越大电感涟波越小,相对感值越小涟波越大。选用电感需注意电感是否适合高频操作,及电感额定饱和电流值。
D1:当 Q2 截止时,D1 萧特基管导通提供电感放电回路。
Q2:使用内阻低的 NMOS,Drain 端高电压等于输出 19V,耐压选用 19V 的 1.5 倍。
R3:Vin 与 EN 之间接 200kΩ,自动启动 IC。
R6:调整工作频率电阻。
R11、R12:分压电阻设定输出电压。
R8:预留作为 EMI 对策。
Rcs:电感峰值电流检测与过电流保护电阻。
PCB图片
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注意事项:
大电流路径走线要粗,铺铜走线最佳。
开关切换连接点 L1、Q2 的 Drain 端与 D1,走线要短与粗,铺铜走线最佳。
输入电容 C6 靠近 HVDD 与 GND Pin,达到稳压与滤波功效。
分压电阻 R11/R12 靠近 FB 与 GND Pin。
FB Pin 远离开关切换点 L1、Q2 的 Drain 与 D1,避免受到干扰。
输入电容 C1/C2 的地、输出电容 C7/C8 与 Rcs 的地,铺铜走线,上下层地多打洞连接。
输出电容 C7/C8 的地一定要靠近 Rcs 的地,可以降低开关切换突波,降低输出高频噪声。
Rcs 靠近 CS 与 GND pin。
板子多余空间建议铺地。
调频曲线
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调频公式
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可调限流
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限流公式
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软启动公式
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