优恩半导体-USB3.1- ESD静电放电及插拔脉冲电压防护 II-电子发烧友网

优恩半导体-USB3.1- ESD静电放电及插拔脉冲电压防护 II

方案简介：USB 3.1 新标准的面世为这种运用广泛的数据接口带来了重大变化，其中包括更高的数据速率。该标准将以前的 USB 3.0 标准的数据速率提升了一倍（达 10Gbps），并且使用的是相同的数据线，提高数据速率同时也凸显了系统级 ESD 抗打击能力的重要性，因为高速系统的结构较小，对 ESD 更为敏感。我们的系统一方面需要快速传输数据，另一方面也容易受到 ESD 脉冲、插拔尖峰脉冲电压等快速瞬变的影响，普通的防护器件会对数据的传输造成影响。此方案信号部分采用集成高分子材料 ESD 静电防护器件，具有极其低的电容值 0.05pF，在不影响数据传输的前提下满足IEC61000-4-2 Level 4 静电放电防护需求，电源 Vbus 部分使用高压大通流 ESD 器件，满足目前消费类 USB 充电端口的 8/20us 浪涌测试，使后端的电路得到有效的防护同时具有很大的成本优势。

产品图示：

ESD12V88D-HA

PESD2510E05V

应用示例：符合要求 : ESD IEC 61000-4-2 Level 4

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