铁电存储器(FRAM)的核心技术是铁电晶体材料,这种特殊材料使铁电存储器同时拥有随机存取记忆体(RAM)和非易失性存储器的特性,芯片能在常温、没有电场的情况下,数据保持此状态达100年以上,铁电存储器不需要定时刷新,能在断电情况下保存数据,特别适合在那些对写入时间和次数有较高要求的应用场合,而且与其MCU接口电路简单,应用方便,本文介绍了国产铁电存储器PB85RS2MC在其多MCU系统中的应用。
铁电存储器相比SRAM、FLASH和EEPROM优点众多:非易失性,写入速度快,无限次写入,最关键是用一个铁电存储器可取代原MCU需配置的2~3个不同的存储器,统一的存储器架构使用户在成本和灵活性上获益。
例如在设计的碳控仪系统中,由于对控制碳势适时性的要求较高,而且系统由2个子系统构成,每个子系统都要频繁读写存储器,所以把原来的存储器换成铁电存储器才得以满足系统要求。
传感器网一般都在室外或野外,电源条件差,功耗要求苛刻,最好能一块电池支持设备整个生命周期,来从外界采集能量。而且实时采集到的更多数据要求内存擦写次数更多,对FLASH的寿命是个挑战,而铁电读写速度比闪存提升100倍,而功耗节省250倍。
铁电存储器PB85RS2MC性能特征:
•容量:2M bit,接口类型:SPI接口(模式0和模式3)
•工作电压:2.7伏至3.6伏,工作频率:25兆赫兹
•功耗:4.8毫安(25兆赫兹),待机功耗9微安
•高速读特性:支持40MHz高速读命令
•工作环境温度范围:-40℃至85℃
•封装形式:8引脚SOP宽体208mil封装,符合RoHS
注:如涉及作品版权问题,请联系删除。
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