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国芯思辰| 碳化硅B2M040120H可替代英飞凌、安森美助力光伏储能

国芯思辰(深圳)科技有限公司 2023-07-27 10:44 次阅读

光伏储能系统是利用太阳能进行光伏储能发电的系统,其中光伏设备会吸收太阳能转化成电能,储能设备会将光伏设备产生的电能进行存储,当光伏系统电力不足时,储能系统会通过转换,将存储的电能转换为所需的交流电供电网使用。

随着光伏组件功率密度的持续提升,也对碳化硅器件性能提出了更高的要求。基本半导体的第二代碳化硅MOSFET,在开关速度、开关损耗、成本等方面进行了改善,以进一步提升客户端光伏逆变器的功率密度。在碳化硅功率模块方面,基本半导体推进工业级碳化硅二极管模块、MOSFET模块以及混合模块的开发,以满足百千瓦级别以上更高功率的光伏逆变器的应用需求。

B2M040120H封装.png

基本半导体第二代碳化硅MOSFET 40mR/1200V TO247-3封装的B2M040120H非常适合老设计中的单管IGBT器件P2P替换升级,可替代英飞凌安森美、ST、Wolfspeed等品牌;能够助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源通信电源等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

B2M040120H参数.png

碳化硅MOSFET B2M040120H是基本半导体基于6英寸晶圆平台开发的,与上一代产品相比,拥有更低比导通电阻(降低约40%)、器件开关损耗(降低约30%),以及更高可靠性和更高工作结温(175°C)等优越性能。综上所述,B2M040120H能够使发电系统的成本大大降低,满足节能减排的需求,提升电网的安全性。

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