igbt和可控硅有什么区别？

igbt和可控硅有什么区别？

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）与可控硅（SCR，Silicon Controlled Rectifier）都是功率半导体器件，它们主要用于控制电能的大功率电路中。IGBT和可控硅在电路中起着相似的作用，但是它们具有不同的特性和优缺点。本文将对IGBT和可控硅的区别进行详细的比较和阐述。

1. 工作原理

可控硅是一种双向可控开关，它的工作原理是基于PN结的控制，通过对正向电压和施加正向电流的控制来控制电路的导通。当控制电压施加到一定的电压时，可控硅会被触发导通，直到外部电路被阻断电流或者切断控制电流时才会停止导通。这种控制方式使得可控硅的保持电流非常小，因此可控硅在耐高电压和耐大电流方面表现出色，广泛应用于交流电路中。

与之不同的是，IGBT是一种开关型晶体管，它的工作原理是通过控制晶体管的栅极电压来实现控制电路的导通和截止。当控制电路施加足够的电压引入晶体管的PN结时，电流就可以通过晶体管，从而实现开关导通和控制。与可控硅相比，IGBT的控制电压较小，但是其损耗较大，耗电量更大。

2. 区别

2.1 开关速度

可控硅的开关速度比IGBT慢，因为可控硅需要等到控制电流达到一定电压才能触发，同时也需要时间来停止导通。这对于需要快速开关器件的高频应用显然是不利的。而IGBT的开关速度较快，可以快速切换电流，适合高效、高频电路应用。

2.2 控制方式

可控硅的控制电压只能从一端施加，且只能控制电流的导通方向，无法控制电流大小。而IGBT可以通过改变栅极电压来控制电流的大小和方向，可实现双极性导通控制，灵活度更高。

2.3 开关电压

可控硅的开关电压范围较小，通常只能在几百V以下使用。而IGBT的开关电压范围较大，可以在千伏级别以上使用。这使得IGBT更适合用于高压电路应用。

2.4 功率损耗

可控硅在导通时具有很低的电压降和功率损耗，适用于高电压应用。而IGBT在导通时存在电压降和大量功率损耗，但是其阻止电流时的损耗很小。因此，在高频率应用中，IGBT更为适用。

2.5 应用领域

由于其低功率损耗和较大的控制效果，在高频应用、工频应用、大电流和高压应用方面，IGBT更为常用。而可控硅主要应用于工频应用和大电流高压场合，比如电动机驱动、变频器等。

3. 总结

虽然IGBT和可控硅都是功率半导体器件，但是它们的特点和应用不同。可控硅适合于高电压、大电流、静态控制的应用场景，具有优秀的控制能力和可靠性。而IGBT则适用于高频、高效率、动态控制的应用，适用于更加灵活且频率要求高的电路中。因此，在选择器件时，应根据具体的应用场景和需求进行选择，以提高系统的效率和稳定性。