0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

英飞凌(Infineon)IGBT管前10热门型号

中芯巨能 2023-08-25 16:58 次阅读

Infineon(英飞凌)作为一家全球领先的半导体解决方案提供商,其IGBT产品在市场上备受瞩目。下面将介绍英飞凌IGBT管前10热门型号:

一、英飞凌IGBT管前10热门型号:

1、IKW40N120H3: Infineon的IKW40N120H3是一款高压IGBT,适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值,能够提供低导通和开关损耗,以及优异的热稳定性。

2、IKW40N65H5: Infineon的IKW40N65H5是一款高性能IGBT,适用于高频率和高温度的应用。它具有650V的电压额定值和40A的电流额定值,具有低导通和开关损耗,以及出色的热稳定性。

3、IKW50N65H5: Infineon的IKW50N65H5是一款高压IGBT,适用于高功率和高可靠性的应用。它具有650V的电压额定值和50A的电流额定值,能够提供低导通和开关损耗,以及优异的热稳定性。

4、IKW40N120T2: Infineon的IKW40N120T2是一款高压IGBT,适用于高效能和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值,能够提供低导通和开关损耗,以及优异的热稳定性。

5、IKW30N60T: Infineon的IKW30N60T是一款低压IGBT,适用于中功率和高频率的应用。它具有600V的电压额定值和30A的电流额定值,具有低导通和开关损耗,以及出色的热稳定性。

6、IKW50N60T: Infineon的IKW50N60T是一款低压IGBT,适用于高功率和高可靠性的应用。它具有600V的电压额定值和50A的电流额定值,能够提供低导通和开关损耗,以及优异的热稳定性。

7、IKW40N120CS6: Infineon的IKW40N120CS6是一款高压IGBT,适用于高功率和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和40A的电流额定值,能够提供低导通和开关损耗,以及优异的热稳定性。

8、IKW30N60H3: Infineon的IKW30N60H3是一款高压IGBT,适用于高效能和高可靠性的应用。它具有600V的电压额定值和30A的电流额定值,能够提供低导通和开关损耗,以及优异的热稳定性。

9、IHW20N120R5: Infineon的IHW20N120R5是一款高压IGBT,适用于高功率和高可靠性的应用。它具有1200V的电压额定值和20A的电流额定值,能够提供低导通和开关损耗,以及优异的热稳定性。

10、IKW75N60T: Infineon的IKW75N60T是一款高性能IGBT,适用于需要高功率和低损耗的应用。具有600V的电压额定值和75A的电流额定值,具有出色的开关特性和热性能。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 英飞凌
    +关注

    关注

    66

    文章

    2190

    浏览量

    138754
  • IGBT
    +关注

    关注

    1267

    文章

    3796

    浏览量

    249102
  • IGBT管
    +关注

    关注

    0

    文章

    27

    浏览量

    13194
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    电磁炉IGBT型号代换

    常用电磁炉用IGBT代换
    发表于 11-11 14:09 3次下载

    IGBT芯片/单/模块/器件的区别

    在电力电子技术的快速中,IGBT(绝缘栅双极型晶体)技术以其高效、可靠的性能,成为众多领域的核心组件。从微小的IGBT芯片到复杂的IGBT器件,每一个组成部分都承载着推动电力电子技术
    的头像 发表于 10-15 15:23 744次阅读

    英飞凌推出带指纹传感器的生物识别芯片卡模块

    英飞凌科技(Infineon Technologies)近期宣布了一项创新突破,成功推出了搭载指纹传感器的生物识别芯片卡模块——Infineon Secora Pay Bio,这一产品标志着支付安全
    的头像 发表于 09-19 17:31 731次阅读

    igbt功率型号参数意义

    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体)是一种功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。IGBT功率型号参数意义是了解
    的头像 发表于 08-08 09:11 1539次阅读

    igbt功率发热什么原因

    IGBT(绝缘栅双极晶体)是一种广泛应用于电力电子领域的功率半导体器件,具有高电压、大电流、高频率等特点。然而,在实际应用过程中,IGBT功率发热是一个常见问题,严重影响了
    的头像 发表于 08-07 15:40 1659次阅读

    MOSIGBT的辨别

    MOS(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,金属氧化物半导体场效应晶体)和IGBT(Insulated Gate Bipolar
    的头像 发表于 07-26 18:07 3124次阅读

    上能电气采用英飞凌IGBT7 EconoDUAL™3实现单机2MW储能变流器

    英飞凌的TRENCHSTOPIGBT7,作为新一代IGBT技术的璀璨明珠,是大功率储能变流器PCS技术升级的推动力,它进一步提高了逆变器效率和功率密度。EH-2000-HA-UD是上能电气
    的头像 发表于 06-14 08:14 1257次阅读
    上能电气采用<b class='flag-5'>英飞凌</b><b class='flag-5'>IGBT</b>7 EconoDUAL™3实现单机2MW储能变流器

    IGBT与MOS的区别

    在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体)和MOS(金属氧化物半导体场效应晶体)是两种非常重要的功率半导体器件。它们各自具有独特的工作原理、结构特点和应用场景。本文将对
    的头像 发表于 05-12 17:11 2786次阅读

    英飞凌推出全新SSI系列固态隔离器

    英飞凌科技发布了其全新SSI系列固态隔离器,这是一款集成了隔离型栅极驱动电源的革命性产品。SSI系列固态隔离器旨在驱动MOS电压驱动型功率晶体,如CoolMOS™、OptiMOS™、TRENCHSTOP™ IGBT或CoolS
    的头像 发表于 05-11 11:35 677次阅读

    MOSIGBT管到底有什么区别

    IGBT是通过在MOSFET的漏极上追加层而构成的。 IGBT的理想等效电路如下图所示,IGBT实际就是MOSFET和晶体三极的组合
    发表于 03-13 11:46 613次阅读
    MOS<b class='flag-5'>管</b>和<b class='flag-5'>IGBT</b>管到底有什么区别

    为什么CIPOS™ Mini更偏向于使用IGBT芯片,而非Si MOSFET?

    英飞凌作为电力电子领域创新解决方案的领先企业,其取得的一大显著成就是,开发了用于集成功率模块(IPM)的绝缘栅双极晶体IGBT)和金属氧化物半导体场效应晶体(MOSFET)。这些
    的头像 发表于 02-19 13:15 398次阅读
    为什么CIPOS™ Mini更偏向于使用<b class='flag-5'>IGBT</b>芯片,而非Si MOSFET?

    为什么IGBT的短路耐受时间只有10us?10us又是如何得来的?

    为什么IGBT的短路耐受时间只有10us?10us又是如何得来的? IGBT(绝缘栅双极型晶体)是一种常用的功率半导体器件,用于控制高功率
    的头像 发表于 02-18 15:54 1707次阅读

    英飞凌与Wolfspeed扩大并延长晶圆供应协议

    英飞凌科技(Infineon Technologies)与美国半导体制造商Wolfspeed近日宣布,双方将扩大并延长现有的晶圆供应协议。这一协议的扩展将进一步加强英飞凌与Wolfspeed之间的合作关系,以满足市场对碳化硅(S
    的头像 发表于 01-24 17:19 909次阅读

    igbt驱动电路工作原理 igbt驱动电路和场效驱动区别

    IGBT驱动电路工作原理: IGBT(绝缘栅双极晶体)是一种特殊的双极晶体,结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体)和普通双极
    的头像 发表于 01-23 13:44 3467次阅读

    IGBT和模块的对比和分析

    最近很多朋友和我聊到IGBT和模块的区别,优缺点对比等。本人从事电力电子产品研发十几年有余,对单和模块都有一定的应用,开发过的产品包括工频塔式机UPS、500KW光伏逆变器、模块化UPS、充电
    的头像 发表于 01-09 09:04 1047次阅读