英飞凌科技推出650V H7型号，扩展第七代TRENCHSTOP IGBT系列
半导体芯科技编译
来源：ee News
H7 IGBT器件采用EC7复合封装二极管，采用先进的发射极控制设计，再加上高速技术，可满足对环保和高效电源解决方案不断增长的需求。
IGBT7 H7采用最新的微图案沟槽技术来改善器件的控制和性能，从而显着降低损耗、提高效率和更高的功率密度。该器件是针对组串式逆变器、储能系统 (ESS)、电动汽车充电应用以及工业UPS和焊接等传统应用。
在分立封装中，H7可应用于40 A至150 A的电流，提供四种不同的封装类型：TO-247-3 HCC、TO-247-4、TO-247-3 Plus和TO-247-4 Plus。
H7的TO-247-3 HCC型号具有高爬电距离。为了提高性能，TO-247 4-pin开尔文封装不仅降低了开关损耗，而且还提供了额外的优势，例如更低的电压过冲、最小化的传导损耗和最低的反向电流损耗。这简化了设计并最大限度地减少了并联设备的需要。
650V H7 IGBT还具有强大的防潮性能，可在恶劣环境下可靠运行。根据JEDEC47/20/22的相关测试，其符合工业用途，特别是HV-H3TRB，非常适合户外应用。
审核编辑：汤梓红
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