976nm 45W高功率单管边发射芯片的技术特点

根据市场研究，高功率EEL边发射芯片市场正在经历快速发展。到2025年，全球高功率EEL边发射芯片市场规模预计将达到10亿美元，年复合增长率达到10%。全球市场对于高效、高功率、小体积的激光光源的需求不断增长。

45W 976nm单管激光芯片

这些市场需求预示着更高的技术门槛、更先进生产工艺挑战。柠檬光子凭借生产工艺的进步和技术创新，研发45W高功率单管EEL激光芯片完美满足这些需求。

976nm 45W高功率单管边发射芯片的技术特点：

高功率EEL边发射芯片，作为激光应用中的"动力源泉"已在泵浦源、激光加工等领域展现出极大的潜能。柠檬光子45W单管激光芯片的最大特点是在高电流密度下能产生令人瞩目的高光功率，同时保持出色的高偏振度、高电光转化效率及小发散角，使其在许多高要求的应用中成为理想选择。

1、高功率

高功率EEL边发射芯片可在45A条件下，光功率>47W，具有出色的功率输出能力，满足了泵浦源和激光加工等领域对高能量密度的需求。

976nm45WEEL芯片光谱图@45A

2、高电光转化效率

PCE高达64%，使得芯片在运行过程中产生的热能最小化，提高了设备的稳定性和可靠性。

976nm45WEEL芯片LIV图

3、高偏振度

偏振度PER>95%，表明该芯片输出的光具有高度的偏振性，这有助于提高激光设备的性能和减小系统复杂性。

4、小发散角

慢轴远场角＜9°，这一特性使得输出的光束质量更佳，有利于提高激光加工的精度和效率。

976nm45WEEL芯片远场发散角

高功率EEL边发射芯片的出色性能使其成为激光泵浦源的理想选择，尤其在固体激光器、光纤激光器、准分子激光器中具有广泛的应用。在激光切割、激光打标和激光焊接等激光加工领域展现出更强的竞争力。

激光泵浦源：光纤激光器、固体激光器、准分子激光器应用

目前，柠檬光子EEL激光芯片系列产品有920nm、976nm波长可选，光功率覆盖18W、25W、35W、45W，可满足多场景应用需求。此外，产品系列均已通过头部客户的性能验证，步入量产阶段。

EEL激光芯片列表

激光技术的快速发展、激光加工需求的增加，以及固体激光器和光纤激光器市场的繁荣，使得高功率EEL边发射芯片的市场需求也在持续增长，预计未来将在更多领域得到广泛应用。

审核编辑：汤梓红