长飞先进半导体武汉基地开工建设

9月1日，长飞先进半导体武汉基地开工建设。

据湖北工业信息消息，长飞先进半导体项目位于光谷科学岛，项目总投资有望超过200亿元人民币。该项目一期投资100亿元，每年可生产36万个sic mosfet晶片，包括外延、零部件设计、晶片制造、包装等。第一期工程将于2025年竣工，届时将成为国内最大的sic输出半导体制造基地，生产能力规模将占据业界领先地位。

8月25日，武汉东湖高新区管理委员会与长飞先进半导体签署第三代半导体功率器件研发生产基地项目合作协议书。

安徽长飞先进半导体有限公司专注于碳化硅（sic）电力半导体产品的研发和制造，具备扩展增长、零部件设计、晶片制造、模块测试等全工程的生产能力和技术研发能力。