东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅(SiC)MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片,用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品目前已开始批量出货。
新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品,其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,有助于减少封装内源极线电感的影响,从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比,新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%,关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。
使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。
东芝将继续扩大自身产品线,进一步契合市场趋势,并助力用户提高设备效率,扩大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆变器
使用SiC MOSFET的3相逆变器
简易方框图
应用
●电动汽车充电站
● 光伏变频器
●不间断电源(UPS)
特性
●4引脚TO-247-4L(X)封装:
栅极驱动信号源极端使用开尔文连接,可降低开关损耗
●第3代碳化硅MOSFET
●低漏源导通电阻×栅漏电荷
●低二极管正向电压:VDSF=-1.35V(典型值)(VGS=-5V)
主要规格
(除非另有说明,Ta=25℃)
审核编辑:刘清
-
MOSFET
+关注
关注
147文章
7302浏览量
214659 -
三相逆变器
+关注
关注
3文章
91浏览量
19016 -
额定电压
+关注
关注
0文章
336浏览量
14429 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
2851浏览量
49341 -
东芝半导体
+关注
关注
1文章
103浏览量
14611
原文标题:【会员风采】东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET,采用可降低开关损耗的4引脚封装
文章出处:【微信号:qidianxiehui,微信公众号:深圳市汽车电子行业协会】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
什么是MOSFET栅极氧化层?如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性?
安森美推出最新一代碳化硅技术平台EliteSiCM3e MOSFET
英飞凌推出用于2kV碳化硅MOSFET模块的数字驱动评估板
英飞凌推出新一代碳化硅MOSFET沟槽栅技术
英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSi MOSFET G2
碳化硅压敏电阻 - 氧化锌 MOV
一文了解SiC碳化硅MOSFET的应用及性能优势

评论