日前,日本半导体晶圆企业信越化学工业与从事ATM及通信设备的OKI公司联合开发出了低成本制造氮化镓(GaN)的新技术。
据悉,这项技术可以使得氮化镓材料的制造成本降低90%以上,如果能够量产,将大幅降低快充充电器、电动汽车马达电控等装置的成本,有利于氮化镓技术普及。
据了解,此次信越化学工业与OKI开发的新技术,可以在特有的基板上喷射镓系气体,使晶体生长。信越化学工业的增厚晶体技术与OKI的接合技术相结合,可以从基板上只揭下晶体,晶体放在其他基板上作为功率半导体的晶圆使用。
信越化学工业表示,在GaN基板上使GaN晶体生长的制法不仅制造耗费时间,成品率还很差,成本高。新制法可以高效制造晶体,可以降低9成成本。与在矽基板上使GaN晶体生长的制法相比,不需要基板与晶体之间的绝缘层。加上晶体的厚膜化,可以通20倍大的电流。
信越化学工业还透露,这一技术可以制造6英寸晶圆,希望在2025年增大到8英寸,今后还考虑向半导体厂商销售技术等业务模式。
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原文标题:【国际资讯】制造成本可降低90%,日本信越开发新技术
文章出处:【微信号:pci-shanghai,微信公众号:CPCA印制电路信息】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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