来源:BUSINESS WIRE
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StratEdge公司将在多个近期活动中展示其高热效率的后烧制和模制陶瓷半导体封装系列,包括于9月19日至21日举行的欧洲微波周(EuMW)、于10月3日至4日举办的IMAPS International以及10月16日至17日举行的IEEE BCICTS。StratEdge封装可散发氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)和碳化硅(SiC)等化合物半导体器件的热量,工作频率范围从DC至63+ GHz。这些封装可在较宽的频率范围内提供超低损耗性能,具体取决于样式和安装配置。许多开放式工具设计都具有50欧姆阻抗,这为封装高性能半导体提供了便利和轻松。
StratEdge全球销售副总裁Casey Krawiec强调说:“我们采用具有激光切割功能的后烧制陶瓷来控制严格的公差、可散热的热增强型金属底座以及可提供极低电损耗的电气转换设计。为了进一步优化性能,StratEdge Assembly Services可以在配备最新精密引线键合和芯片连接系统的新洁净室中封装器件。”
审核编辑 黄宇
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