0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

共源共栅Cascode以及级联Cascade的优缺点是什么?

工程师邓生 来源:未知 作者:刘芹 2023-09-18 15:08 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

共源共栅Cascode以及级联Cascade的优缺点是什么?

共源共栅Cascode以及级联Cascade是常用的放大电路架构,它们在不同应用场合中具有不同的优缺点。在本文中,我们将就这些架构列举其优点和缺点,并对其性能进行分析。

一、共源共栅Cascode

共源共栅Cascode电路是一个双级放大电路,由一个源连双极晶体管MOSFET)和一个栅连MOSFET组成。该电路可以提高放大电路的增益和线性度,减小MOSFET对电路带来的影响和节省电源。共源共栅Cascode架构的优点有以下几个:

1.较高的增益:由于共源共栅Cascode可以增加电路的工作点,因此可以有效提高其增益。其中,共源极的电压被提高,当电流正向带通时,真空管会nose up(即增加电流)。而通过共栅极的电压使结果更不会被击穿。

2.较小的电容:共源共栅Cascode的结构比传统电路更加平稳,这意味着电压变化相对更小,从而减小了由于消耗电容器带来的噪声。因此,CASCODE电路内部电容体积变小,减少了由电容产生的干扰信号

3.阻止电荷注入:在电路中,MOSFET会受到电路中其他元件反向电流的影响,导致电荷注入到MOSFET晶体管管的门源电容。但是,共源共栅Cascode架构中,在电路中的MOSFET门源两端之间增加了电容,以阻止电荷注入进入MOSFET晶体管管的门源电容,从而有效提高了电路的稳定性。

4.减小功耗:由于共源共栅Cascode电路具有双级放大的特点,因此可以在不影响增益的情况下减少对电源的消耗。这是由电路结构本身所决定的。在电路不需要额外的工作时,将其完全关闭是易于实现的。

但是,共源共栅Cascode也存在一些缺点:

1.复杂的基准电路:由于共源共栅Cascode电路本身较为复杂,在实现基准电路时,需要对其进行调节,以使其工作点处于合适的状态。

2.高导通电阻:共源共栅Cascode电路通常具有较高的导通电阻,因此可能需要额外的电源来推动电路,以达到预期的性能。

3.较高的杂散噪声:由于共源共栅Cascode电路需要使用较高的放大电路,所以在大幅放大时,可能会出现一定的杂散噪声。这是由于电路的感受器不足所造成的。

二、级联Cascade

级联Cascade也是常用的放大电路架构。与共源共栅Cascode架构不同,级联Cascade架构由多个单级放大电路组成,每个单级放大电路都独立放大电路信号。级联Cascade架构的优点有以下几个:

1.较高的带宽:级联Cascade电路是由多个单级放大器电路串联组成的,其输出加入到下一个单级放大电路的输入中。由于每个单级放大器电路的增益不太一样,可以大幅度扩展电路的带宽。

2.较高的增益:由于级联Cascade电路具有多级放大器电路的特点,因此可以在不损失增益的情况下增加电路的线性度。由于多个单级放大器电路的组合,级联Cascade电路能够放大的信号的振幅可以达到很高。

3.较低的杂散噪声:级联Cascade电路可以大幅度扩展电路的带宽,因此在实现电路的同时降低了电路的杂散噪声。这是由于电路需要使用更少的电容和电感来实现同样的性能。

但是,级联Cascade电路也存在一些缺点:

1.较复杂的设计:在实现级联Cascade电路时,需要特别注意电路的每个分支,以便正确配置电路的增益与带宽。对于不同分支放大器之间的互相影响需要进行调整。

2.高功耗:由于级联Cascade电路是由多个单级放大器电路组成的,因此其功耗可能会高于单个放大器电路。此外,由于电路包含多个放大级别,因此其实现设计中对电路的功率需求可能会比较严格。

3.较大的面积:由于级联Cascade电路是由多个单级放大器电路组成的,因此其面积通常比单个放大器电路大得多。此外,多个单放大器电路需要紧密排列起来,以便在电路实现设计中获得最大的性能。

综上所述,共源共栅Cascode和级联Cascade是常用的放大电路架构。在不同的应用场合中,选择不同的经典电路架构是很重要的。在应用中,我们需要根据电路结构和组件特性选择合适的电路结构和组件。在不断实践和总结中,提高电路的设计能力和效果。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 电容器
    +关注

    关注

    64

    文章

    6977

    浏览量

    108742
  • MOSFET
    +关注

    关注

    152

    文章

    10886

    浏览量

    235356
  • 晶体管
    +关注

    关注

    78

    文章

    10458

    浏览量

    148867
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    Onsemi碳化硅JFET(UF3C065030K3S)深度解析

    的UF3C065030K3S碳化硅JFET就是其中一款极具代表性的产品。今天,我们就来深入剖析这款器件,了解它的特点、性能以及应用。
    的头像 发表于 05-09 15:45 92次阅读

    安森美SiCJFET:高效电源开关的理想之选

    安森美SiCJFET:高效电源开关的理想之选 作为一名电子工程师,在电源设计领域,不断寻找高性能、可靠的功率开关器件是我们的日常工作。今天,就和大家分享一款安森美(onsemi
    的头像 发表于 05-09 15:35 110次阅读

    安森美SiCJFET:高性能功率开关的理想之选

    安森美SiCJFET:高性能功率开关的理想之选 在电子工程师的日常工作中,选择合适的功率开关器件对于设计的成功至关重要。今天,我们来深入了解一下安森美(onsemi)的一款高性
    的头像 发表于 05-09 15:35 90次阅读

    onsemi碳化硅JFET器件UF3C065040K4S的特性与应用

    onsemi碳化硅JFET器件UF3C065040K4S的特性与应用 作为电子工程师,在功率器件的选择上,我们总是追求高性能、高可靠性和低损耗的产品。今天,我要给大家介绍一款o
    的头像 发表于 05-09 15:30 87次阅读

    onsemi UF3C065080K4S碳化硅JFET器件解析

    onsemi UF3C065080K4S碳化硅JFET器件解析 在功率电子领域,碳化硅(SiC)器件凭借其卓越的性能逐渐成为研究和应用的热点。今天我们就来深入了解一下onsem
    的头像 发表于 05-09 15:25 87次阅读

    onsemi碳化硅JFET:高性能功率开关新选择

    onsemi碳化硅JFET:高性能功率开关新选择 大家好,作为电子工程师,我们在功率开关设计中常常需要在性能、可靠性和成本之间寻找平衡。今天给大家带来 onsemi
    的头像 发表于 05-09 15:20 93次阅读

    onsemi UF3C065080B7S碳化硅(SiC)JFET深度解析

    的 UF3C065080B7S 碳化硅(SiC) JFET,探索它的特点、性能以及应用场景。 文件下载: UF3C065080B7
    的头像 发表于 05-09 15:20 99次阅读

    安森美SiCJFET:高性能功率器件的理想之选

    安森美SiCJFET:高性能功率器件的理想之选 在电子工程领域,功率器件的性能直接影响着各类电子设备的效率和稳定性。今天,我想和大家深入探讨一款安森美(onsemi)推出的高性
    的头像 发表于 05-09 15:15 95次阅读

    onsemi UF3C120040K4S碳化硅JFET深度解析

    onsemi UF3C120040K4S碳化硅JFET深度解析 在电力电子领域,碳化硅(SiC)器件凭借其卓越的性能逐渐成为了工程师们的首选。今天,我们就来深入探讨onsemi
    的头像 发表于 05-09 15:15 95次阅读

    安森美 UF3C120150B7S碳化硅JFET深度剖析

    (SiC)JFET便是一款备受关注的产品。今天,我们就来深入了解一下这款器件的特点、性能以及应用。 文件下载: UF3C120150
    的头像 发表于 05-09 14:55 119次阅读

    onsemi碳化硅JFET器件UF3C120080K4S深度解析

    JFET器件——UF3C120080K4S,了解它的特点、性能以及应用场景。 文件下载: UF3C120080K4S-D.PDF 产品概述 onsemi的这款碳化硅
    的头像 发表于 05-09 14:55 95次阅读

    onsemi碳化硅JFET:高性能功率器件的新选择

    onsemi碳化硅JFET:高性能功率器件的新选择 在当今的电子设计领域,功率器件的性能直接影响着电子设备的效率和可靠性。onsemi推出的UF3C120150K4S碳化硅(S
    的头像 发表于 05-09 14:55 100次阅读

    解析 onsemi UF3C170400K3S 碳化硅 JFET

    碳化硅 JFET——UF3C170400K3S,深入了解它的特性、应用以及设计要点。 文件下载: UF3C170400K3S-D.P
    的头像 发表于 05-09 14:30 94次阅读

    安森美UJ4C075060K3S碳化硅JFET的特性与应用解析

    的UJ4C075060K3S碳化硅JFET就是其中一款具有代表性的产品。下面将详细解析这款器件的特性、性能参数以及应用场景。 文件下
    的头像 发表于 05-08 17:35 378次阅读

    SiC 市场的下一个爆点:cascode)结构详解

    常开特性,这意味着如果没有电压,或者JFET的栅极处于悬空状态,那么JFET将完全导通。 然而,开关模式在应用中通常需要常关状态。因此,将SiC JFET与低电压硅MOSFET以cascode 配置结合在一起,构造出一个常关
    的头像 发表于 06-14 23:47 1524次阅读
    SiC 市场的下一个爆点:<b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>源</b><b class='flag-5'>共</b><b class='flag-5'>栅</b>(<b class='flag-5'>cascode</b>)结构详解