0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

EG2122屹晶微高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用芯片

腾震粤电子 2023-09-17 12:57 次阅读

描述

EG2122 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT栅极驱动专用芯片,内部集成了逻辑信号输入处 理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专 用于无刷电机控制器中的驱动电路。 EG2122 高端的工作电压可达 200V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 8V~20V,静态功耗低。该芯片具 有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了 200K 下拉电阻,在输入悬空时使上、 下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 0.8/1.2A,采用 SOP8 封装。

◼ 高端悬浮自举电源设计,耐压可达 200V

◼ 适应 5V、3.3V 输入电压

◼ 最高频率支持 500KHZ

◼ 带 VCC 欠压保护

◼ 输出电流能力 IO+/- 0.8A/1.2A

◼ 内建死区控制电路

◼ 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通

◼ HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出

◼ LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出

◼ 外围器件少

◼ 封装形式:SOP8

◼ 无铅无卤符合 ROHS 标准

◼ 移动电源高压快充开关电源

◼ 电动车控制器

◼ 变频水泵控制器

◼200V 降压型开关电源

◼ 无刷电机驱动器

◼ 高压 Class-D 类功放

wKgZomUGhwGAEEYwAAD63hDzgPc226.pngwKgaomUGhwGAcMevAAEwZ9h9u70642.png
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 开关电源
    +关注

    关注

    6444

    文章

    8274

    浏览量

    480376
  • 充电器
    +关注

    关注

    100

    文章

    4065

    浏览量

    114571
  • 适配器
    +关注

    关注

    8

    文章

    1927

    浏览量

    67877
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    30V MOS 60V MOS 100V MOS-5N10N通道MOS-HC5N10 100V5A 低结电容 高性价比

    台灯 投影仪 磁吸灯 吸顶灯等等,它们有大功率,大电流,发热小,共阳等特往 往需要12V 24V 36V 48V 60V 72V 80V转3V 9V 12V 24V 36V等不同的电压输出。 mos
    发表于 10-11 09:47

    EG3113 大功率 MOS IGBT 栅极驱动芯片

    少 静态电流小于 5uA,非常适合电池场合 封装形式: SOP-8 应用: 移动电源高压快充开关电源 变频水泵控制器 600V 降压型开关电源 电动车控制器 无刷电机驱动器 高压 Class-D 类功放 详情请咨询我
    发表于 10-09 10:16

    EG2302 带 SD 半桥驱动芯片

    MOS IGBT 栅极驱动专用
    发表于 09-29 17:16

    igbt功率管型号参数意义

    适用于高电压、大功率的应用场景,如工业电机驱动、电力传输等。 PT(Punch Through,穿透型)IGBT PT IGBT是一种改进的IGBT
    的头像 发表于 08-08 09:11 1009次阅读

    MOSIGBT的辨别

    Transistor,绝缘栅双极型晶体)是电力电子领域中两种重要的功率开关器件,它们在结构、工作原理、性能特点以及应用场合等方面都存在显著的差异。以下是对MOS
    的头像 发表于 07-26 18:07 1862次阅读

    igbt栅极驱动的参数要求和驱动条件

    IGBT(绝缘栅双极晶体)是一种功率半导体器件,广泛应用于电力电子领域。IGBT栅极驱动
    的头像 发表于 07-25 10:48 770次阅读

    MOSIGBT的结构区别

    MOSIGBT是现代电子技术中两种非常重要的半导体器件,它们在电力电子、能量转换、汽车电子等多个领域有着广泛的应用。尽管它们都是半导体开关器件,但它们的结构特点、工作原理及应用场景存在显著差异
    的头像 发表于 06-09 14:24 780次阅读
    <b class='flag-5'>MOS</b><b class='flag-5'>管</b>和<b class='flag-5'>IGBT</b>的结构区别

    IGBTMOS的区别

    在电力电子领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体)和MOS(金属氧化物半导体场效应晶体)是两种非常重要的
    的头像 发表于 05-12 17:11 2500次阅读

    内置MOS 1A 大功率LED恒流驱动器PT4115数据手册

    电子发烧友网站提供《内置MOS 1A 大功率LED恒流驱动器PT4115数据手册.pdf》资料免费下载
    发表于 04-16 09:24 0次下载

    EG3116D_高压600V2A驱动芯片数据手册V1

    EG3116D是一款高性价比大功率MOSIGBT
    发表于 03-04 11:56 4次下载

    氮化镓mos驱动方法

    氮化镓(GaN)MOS是一种新型的功率器件,它具有高电压、高开关速度和低导通电阻等优点,逐渐被广泛应用于功率电子领域。为了充分发挥氮化镓MOS
    的头像 发表于 01-10 09:29 2444次阅读

    氮化镓mos驱动芯片有哪些

    、射频和光电子等领域,能够提供高效、高性能的功率转换和信号放大功能。 GaN MOS驱动芯片
    的头像 发表于 12-27 14:43 1809次阅读

    igbtmos的区别

    Transistor)是两种常见的功率开关器件,用于电力电子应用中的高电压和高电流的控制。虽然它们都是晶体的一种,但在结构、特性和应用方面有很大的区别。本文将详细介绍IGBTMOS
    的头像 发表于 12-07 17:19 1792次阅读

    现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制

    电子发烧友网站提供《现代IGBT/MOSFET栅极驱动器 提供隔离功能的最大功率限制.pdf》资料免费下载
    发表于 11-22 16:48 0次下载
    现代<b class='flag-5'>IGBT</b>/MOSFET<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动</b>器 提供隔离功能的最<b class='flag-5'>大功率</b>限制

    氮化镓mos普通的驱动芯片可以驱动吗?

    氮化镓mos普通的驱动芯片可以驱动吗? 当涉及到驱动氮化镓(GaN)
    的头像 发表于 11-22 16:27 1636次阅读