号友发过来想要沟通的内容,“实际应用中混频相位噪声与理论相差还是比较大。相位噪声比较低的时候。”
我当时看到这的时候,其实我心里是这样想的,实测和理论差2dB还好吧,一般这种差别,都能被留的裕量给覆盖掉。
一般性能的PLL,谁会没有这2dB的裕量啊!
但是,号友做的产品不是一般的产品,对相噪要求太高了。图上的指标,都是在10KHz左右的相噪。而且,因为产品本身相噪指标要求高,再结合器件本身能达到的性能指标,能给的裕量基本就没有了。
要是器件能到个-174dBm/Hz,估计也不会去扣这个细节。
不过,用号友的话说,现在射频也是越来越卷了,无论使用场景上用不用的到这么高的性能,反正指标一定要往高里提,然后价格还要保持不变。
所以,即使器件能到-174dBm/Hz,甲方提的指标,估计也嗖的一下,跟上来了。
言归正传,我总结一下号友的问题:
他有两个源,都是内部晶振源倍频分频产生的信号,分别作为混频器的输入和本振。
疑惑一:假设RF=400MHz,-145dBc/Hz@10KHz;fLO=20MHz,-154dBc/Hz@10KHz;当fIF=fRF-fLO=380MHz时,混频出来的相噪是-142.5dBc/Hz@10KHz。
疑惑二:假设fRF=1600MHz,-138dBc/Hz@10KHz; fLO=100MHz,-150dBc/Hz@10KHz;当fIF=fRF-fLO=1500MHz时,混频出来的相噪是是-139dBc/Hz@10KHz;当fIF=fRF+fLO=1700MHz时,混频出来的相噪是-137dBc/Hz@10KHz。
也就是说,这两个疑问包含两个问题,一个是,理论值和实测值,差了1~2dB;一个是,这个实测值,在理论值上下波动,一会好一会坏。
我用两个余弦函数分别代表RF信号和对应相噪,用另外的两个余弦函数分别代表LO信号和对应相噪,对疑惑一中的情况,算出来的理论值约为-144.5dBc/Hz。
然后又用ADS仿真了一下,结果如下图所示,不管是上变频还是下变频,仿真值,都是在-144.47dBc/Hz左右。
我俩也讨论,是不是闪烁噪声引起的,会不会和同源有啥关系?
所以,看到推送的你们,有没有什么高见呢?
审核编辑:刘清
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原文标题:一扣指标,射频的难度就直线飙升
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