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为什么说大功率器件氮化镓遥遥领先

jf_52490301 来源:jf_52490301 作者:jf_52490301 2023-09-19 16:13 次阅读

氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料,整体发展较晚,渗透率较低。随着半导体化合物的稳定发展,第三代半导体具有高穿透电场、高导热率、高电子迁移率、高操作温度等特点。与第一代硅基半导体和第二代砷化邈相比。该设备具有更大的功率和更好的频率特性,用于代表物质制造。 氮化镓的能量间隙很宽,是3.4电子伏特,可用于大功率、高速光电元件,如紫光激光二极管,非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)紫光激光(405nm)在条件下产生。

Keep Tops氮化镓的特点:

1、氮化镓芯片KT65C1R200D拥有强大的击穿电压:材料本身具有很高的抗压能力,目前相对完善的Si基GaN设备的耐压性一般在650V-1200V,长时间应用于高功率领域。

2、GaN最好的优点是开关频率高。 GaN可以解决更高频率和更高功率的问题。与硅设备相比,它可以在尺寸和能耗减半的情况下运输相同的功率,从而提高功率,有利于设计师满足更高的功率要求,而不增加设计空间。

3、更高的频率交换意味着GaN可以一次转换更广泛的功率,减少复杂设计中的功率转换。因为每一次功率转换都会形成新的能耗,这对于许多高压应用来说是一个明显的优势。基于Gan的新电源和转换系统功率损失较低,产生的热量较少。

由于高温会增加使用成本,影响数据信号,造成机械故障,这些特性尤为重要。 氮化镓和碳化硅作为第三代半导体材料,整体发展较晚,渗透率较低。数据显示,目前氮化镓半导体器件的渗透率仅为0.2%左右,可大规模发展。由于单晶炉产量有限,氮化镓的成本远高于硅基和碳化硅。

然而,与光电器件相比,基于硅和碳化硅的氮化镓射频和功率器件的成本较低,这是目前渗透率提高的主流方向。 Gan的演变还没有完成。未来,Gan将继续扩展到客户电子设备等领域,打造更薄的平板显示器,减少能源浪费。可以说,如果你只需要提高3%或4%的能效,你可以通过许多其他方式来完成。但是,如果你想让功率翻倍,KeepTops氮化镓芯片KT65C1R200D是你的首选。

审核编辑 黄宇

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