0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

汤谷智能首家在国产工艺线(n+1)完成HBM IP的设计实现

汤谷智能 来源:汤谷智能 2023-09-20 14:36 次阅读

汤谷智能是目前首家在国产工艺线(n+1)上完成HBM IP的设计实现,成功流片并提供对外服务的企业。

高带宽存储器(HighBandwidth Memory,HBM)是一种将多层DRAM进行3D堆叠封装的新型内存器件。在采用HBM芯粒集成方案的智能计算芯片中,HBM芯粒通过硅转接板与计算芯粒实现2.5D封装互联,具有高带宽、高吞吐量、低延迟、低功耗、小型化等技术优势,可以满足AI大模型高访存的需求,成为当前高性能智能计算芯片最主要的技术路线,其中核心技术是计算芯粒与HBM芯粒互联接口技术

全国产化的HBM芯粒连接涉及3部分重点环节:HBM颗粒的国产化、HBM IP设计和流片工艺国产化以及HBM IP与SOC IP基于Interposer的互联接口设计和流片工艺的国产化,3个环节环环相扣,需要国内顶尖存储、芯片设计、晶圆制造企业进行联合攻关。汤谷智能已经完成了第二阶段和第三阶段的攻关,即在国产工艺上实现HBM IP与SOC IP基于Interposer的互联接口设计和流片验证,希望能与更多合作伙伴一起为更多高通量计算芯片设计企业提供优质服务。

审核编辑:彭菁

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 存储器
    +关注

    关注

    38

    文章

    7552

    浏览量

    164892
  • 封装
    +关注

    关注

    127

    文章

    8136

    浏览量

    143847
  • 工艺
    +关注

    关注

    4

    文章

    622

    浏览量

    29014
  • 接口技术
    +关注

    关注

    1

    文章

    276

    浏览量

    41488

原文标题:全国产HBM IP成功回片

文章出处:【微信号:汤谷智能,微信公众号:汤谷智能】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    DLPC3478使用External Pattern Mode如何解决并行口第N次输入的数据将在N+1次时输出造成的第1次输出图像不能指定的问题?

    使用External Pattern Mode时,并行口第N次输入的数据将在N+1次时输出。第1次输出的图像为默认图像(测试发现),为保证第0次输出的图像也是由外部并行口输入,我本
    发表于 02-21 14:49

    N+1热插拔电源模块并联均流系统设计与实现

    N+1个热插拔电源模块并联均流系统设计 摘要 目前工业及国防领域中对开关电源的体积、功率、可靠性等要求高,急需一种新型拓扑电源系统。介绍了一种采用Vicor高功率密度器件设计的具有热插拔功能
    的头像 发表于 11-21 09:36 652次阅读
    <b class='flag-5'>N+1</b>热插拔电源模块并联均流系统设计与<b class='flag-5'>实现</b>

    Rambus推出业界首款HBM4控制器IP

    进一步巩固了RambusHBM IP领域的市场领导地位,并以其广泛的生态系统支持,为数据传输领域树立了新的标杆。
    的头像 发表于 11-14 16:33 643次阅读

    Rambus宣布推出业界首款HBM4控制器IP,加速下一代AI工作负载

    产品组合   图1:Rambus HBM4控制器   中国北京,2024年11月13日 —— 作为业界领先的芯片和半导体IP供应商,致力于使数据传输更快更安全,Rambus Inc.(纳斯达克股票代码:RMBS)今日宣布推出业界
    发表于 11-13 15:36 541次阅读
    Rambus宣布推出业界首款<b class='flag-5'>HBM</b>4控制器<b class='flag-5'>IP</b>,加速下一代AI工作负载

    锐成芯微推出基于8nm工艺的PVT Sensor IP

    近日,锐成芯微基于8nm工艺工艺、电压、温度传感IP(PVT Sensor IP,下同)完成硅测试,验证结果展现出了其优异的性能,未来将为
    的头像 发表于 11-08 16:17 353次阅读

    今日看点丨 商汤科技被曝大裁员,赔偿N+1;禾赛科技称将起诉美国政府

    1. 商汤科技被曝大裁员,赔偿N+1   近日,有传闻称商汤科技正在进行新一轮组织架构调整和裁员。对此,商汤科技回应称,公司正在积极推进战略转型,聚焦“大装置-大模型-应用”关键业务和战略增长领域
    发表于 10-25 10:49 1537次阅读

    东科技成功实现分子键合技术验证

    近日,经过光学及工艺团队不断技术攻坚,东科技成功实现分子键合技术验证。该工艺通过利用玻璃材料表面分子的相互吸引力连接,实现分子键合。作为阵
    的头像 发表于 07-24 17:26 672次阅读

    SK海力士携手台积电,N5工艺打造高性能HBM4内存

    半导体技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,宣布将采用台积电先进的N5工艺版基础裸片来构建其新一代HBM4内存。这一举措不仅标志着SK海力士
    的头像 发表于 07-18 09:47 752次阅读

    全国首家国产飞行汽车完成首飞

    行业资讯
    北京中科同志科技股份有限公司
    发布于 :2024年06月17日 09:59:57

    台积电准备生产HBM4基础芯片

    近日举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了关于HBM4基础芯片制造的新进展。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程进行生产,台积电计划使用其N12和
    的头像 发表于 05-21 14:53 808次阅读

    台积电将采用HBM4,提供更大带宽和更低延迟的AI存储方案

    近期举行的2024年欧洲技术研讨会上,台积电透露了即将用于HBM4制造的基础芯片的部分新信息。据悉,未来HBM4将采用逻辑制程生产,而台积电计划利用其N12和
    的头像 发表于 05-20 09:14 1212次阅读

    台积电欧洲技术研讨会上展示HBM4的12FFC+和N5制造工艺

    目前,我们正在携手众多HBM存储伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推进HBM4在先进制程中的全面集成。12FFC+基础Dies满足HBM性能需求的同时,具有显著的成本优势;而
    的头像 发表于 05-17 10:07 723次阅读

    景告诉你国产棒型电感定制厂家怎么样

    能力又是怎么样的呢?景是一家拥有近20年国外品牌电感代工经验的“老厂”,带大家一起了解一下国产棒型电感定制厂家在这方面的能力到底是怎样的? 1、从技术实力来看:我们的国产棒型电感定制
    的头像 发表于 05-09 19:46 370次阅读

    UM0560手册上说明发送数据时的checksum XOR (N,[N+1 data bytes])是什么意思?

    想用STM8S自带的bootloader 通过CAN升级软件,有谁知道UM0560手册上说明发送数据时的checksum XOR (N,[N+1 data bytes])是什么意思?如果发送128个数据这个checksum=XOR(127^128),还是最后2个数据异或?
    发表于 04-07 07:40

    三星澄清:未采用MR-MUF工艺,持续创新引领HBM芯片技术

    近期,针对三星是否在其高带宽内存(HBM)芯片生产中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified Memory Framework)工艺的讨论科技界引发了广泛关注。
    的头像 发表于 03-14 11:56 682次阅读
    三星澄清:未采用MR-MUF<b class='flag-5'>工艺</b>,持续创新引领<b class='flag-5'>HBM</b>芯片技术