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如何选择性价比高的氮化镓芯片?采用KT65C1R200D产品

jf_52490301 来源:jf_52490301 作者:jf_52490301 2023-09-20 15:25 732次阅读

选择氮化镓芯片时,根据应用的需求,确定所需的性能指标,包括功耗、频率、工作温度范围等。不同型号的氮化镓芯片有不同的性能特点,需要根据具体的应用场景选择合适的型号。考虑芯片的可靠性和稳定性,包括寿命、耐压、抗干扰等方面的指标。特别是对于一些长期运行或者在恶劣环境下工作的应用,可靠性是一个非常重要的考虑因素。选择一家有良好供应链和技术支持的厂商,以确保能够及时获取所需的芯片和技术支持。同时,考虑厂商的声誉和市场份额,以确保产品的质量和可靠性。

考虑芯片的价格和性能之间的平衡,选择性价比较高的芯片。在考虑成本时,还需要考虑一些隐藏成本,如开发工具、测试和验证等。芯片所在的生态系统和可扩展性,包括软件支持、开发工具、第三方支持等。一个完善的生态系统可以提供更好的开发和支持环境,同时也能够提供更多的选择和解决方案。选择氮化镓芯片需要综合考虑性能需求、可靠性、供应和支持、成本和性价比、生态系统和可扩展性等多个因素,根据具体应用的需求进行权衡和选择。

KT65C1R200D是一个650V,200米Ω 采用8x 8 DFN封装的氮化镓(GaN)FET。这是一款常关器件,将KeepTops最新高压GaN HEMT与低压硅MOSFET相结合,提供卓越的可靠性和性能。将 650V 增强型氮化镓晶体管及其驱动器封装在一个芯片内部,降低了氮化镓快充产品开发门槛,丰富了合封氮化镓电源芯片市场。

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氮化镓芯片


KT65C1R200D 是一款集成 650V 增强型氮化镓晶体管及驱动器的合封氮化镓芯片,耐压 650V,导阻 400mΩ,最大漏源极电流 7A,单极正电压门极驱动电压 0V~6V,支持3.3V和5V控制信号,开关速度超10MHz,具有零反向恢复损耗。

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氮化镓芯片

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氮化镓芯片

产品采用与单GaN管相同的 DFN8x8 封装,具备很强的通用性,相比传统分离驱动方案,可节省约40%占板面积;此外,采用合封氮化镓芯片可有效减少驱动回路走线,降低寄生参数,应用极限频率更高

Keep Tops凭借在氮化镓领域的先发优势,敢于人先,在氮化镓器件设计、产品封装和测试领域先后实现技术突破,使其在功率氮化镓及其驱动领域具备强大的竞争力。

审核编辑:汤梓红

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