0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

沉积氮化硅薄膜的重要制备工艺——PECVD镀膜

美能光伏 2023-09-27 08:35 次阅读

PECVD作为太阳能电池生产中的一种工艺,对其性能的提升起着关键的作用。PECVD可以将氮化硅薄膜沉积在太阳能电池片的表面,从而有效提高太阳能电池光电转换率。但为了清晰客观的检测沉积后太阳能电池片氮化硅薄膜,了解其薄膜的厚度、表面粗糙度等各种参数信息,就必须运用台阶仪进行测量。「美能光伏」生产的美能探针式台阶仪,可测量太阳能电池片氮化硅薄膜表面的粗糙度、翘曲应力等各种参数信息,为光伏企业用户评估关于太阳能电池性能方面的问题。本期「美能光伏」将给您介绍PECVD工艺!

带您深入了解PECVD工艺的基本原理

PECVD又叫化学气相沉积,是一种利用等离子体在低温下进行沉积的薄膜生长技术,PECVD技术是在低气压下,利用低温等离子体工艺腔体阴极上产生辉光放电,再利用辉光放电使样品升温到预定的温度,然后通入适量的工艺气体,这些气体经一系列化学反应和等离子体反应在高温下分解生成所需的化合物,然后将化合物沉积在太阳能电池片的表面或其他衬底材料表面从而形成薄膜。

cd6581fe-5ccd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

PECVD工艺的基本原理


PECVD的工艺优势

相较于传统的CVD,PECVD的主要优势之一是可以在较低温度下操作,从而减少对衬底材料的热应力,广泛适用于太阳能电池的制造。PECVD等离子体中含有大量高能量的电子,它们可以提供化学气相沉积过程所需要的激活能。电子与气相分子的碰撞能够促进气体分子分解、化合、激发和电力过程,生成活性很高的各种化学集团,从而显著降低PECVD薄膜沉积的温度范围,使原来需要在高温下才能进行的薄膜沉积在低温下也可以实现。

PECVD方法沉积薄膜能够避免薄膜与衬底间发生不必要的扩散与化学反应、避免薄膜或衬底材料结构变化与性能恶化、避免薄膜与衬底中出现较大的热应力等,从而有效保证太阳能电池的性能稳定。


美能探针式台阶仪

cd95f488-5ccd-11ee-9788-92fbcf53809c.png

美能探针式台阶仪是一款先进的微纳测量仪器,采用出色的仪器系统构造和最优化的测量及数据处理软件可测量表面粗糙度、波纹度、表面2D/3D形状、翘曲和应力。从而实现可靠、高效、简易的样品检测,并完成从研发到质量控制的完美把控。

● 配备500W像素高分辨率彩色摄像机

● 台阶高度重复性1nm

● 超高直线度导轨、反应样品微小形貌

● 亚埃级分辨率、13μm量程下可达0.01埃

高低噪比与低线性误差


PECVD工艺作为能够通过薄膜沉积而直接提高太阳能电池性能的关键步骤,一直都是各大光伏电池厂商所着重关注的工艺流程。「美能光伏」生产的美能探针式台阶仪,凭借独特的检测技术,给予沉积在太阳能电池片表面氮化硅薄膜的针对性检测,帮助光伏电池厂商评估薄膜沉积后太阳能电池的性能,从而实现有力的科学证明!

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 太阳能
    +关注

    关注

    37

    文章

    3368

    浏览量

    113999
  • 测量
    +关注

    关注

    10

    文章

    4724

    浏览量

    111027
  • PECVD
    +关注

    关注

    2

    文章

    20

    浏览量

    10070
  • 电池
    +关注

    关注

    84

    文章

    10384

    浏览量

    128491
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    浅谈薄膜沉积

    薄膜沉积工艺技术介绍 薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料,比如绝缘化合物二氧
    的头像 发表于 11-01 11:08 1559次阅读

    一文详解半导体薄膜沉积工艺

    半导体薄膜沉积工艺是现代微电子技术的重要组成部分。这些薄膜可以是金属、绝缘体或半导体材料,它们在芯片的各个层次中发挥着不同的作用,如导电、绝
    的头像 发表于 10-31 15:57 136次阅读
    一文详解半导体<b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>沉积</b><b class='flag-5'>工艺</b>

    镀膜使用二氧化硅的作用

    1. 引言 镀膜技术是一种在基材表面形成薄膜的技术,广泛应用于光学、电子、机械、建筑等领域。二氧化硅作为一种常见的无机材料,因其良好的光学性能、化学稳定性和机械强度,在镀膜技术中得到了
    的头像 发表于 09-27 10:10 256次阅读

    大连理工大学发布氮化镓气体传感器专利

    该发明的核心在于一种以氮化薄膜为主要材料的气体传感器的制备与运用。其制法包括:首先,通过对衬底进行镀膜工艺生成非晶
    的头像 发表于 03-29 09:34 548次阅读
    大连理工大学发布<b class='flag-5'>氮化</b>镓气体传感器专利

    流量控制器在半导体加工工艺化学气相沉积(CVD)的应用

    薄膜沉积是在半导体的主要衬底材料上镀一层膜。这层膜可以有各种各样的材料,比如绝缘化合物二氧化硅,半导体多晶硅、金属铜等。用来镀膜的这个设备就叫薄膜
    的头像 发表于 03-28 14:22 777次阅读
    流量控制器在半导体加工<b class='flag-5'>工艺</b>化学气相<b class='flag-5'>沉积</b>(CVD)的应用

    沉积温度和溅射功率对ITO薄膜性能的影响研究

    ITO薄膜在提高异质结太阳能电池效率方面发挥着至关重要的作用,同时优化ITO薄膜的电学性能和光学性能使太阳能电池的效率达到最大。沉积温度和溅射功率也是ITO
    的头像 发表于 03-05 08:33 873次阅读
    <b class='flag-5'>沉积</b>温度和溅射功率对ITO<b class='flag-5'>薄膜</b>性能的影响研究

    LPCVD技术助力低应力氮化硅制备

    LPCVD是低压化学气相沉积(low-pressurechemical vapor deposition)的缩写,低压主要是相对于常压的APCVD而言,主要区别点就是工作环境的压强,LPCVD的压强通常只有10~1000Pa,而APCVD压强约为101.3KPa。
    发表于 01-22 10:38 1544次阅读
    LPCVD技术助力低应力<b class='flag-5'>氮化硅</b>膜<b class='flag-5'>制备</b>

    LPCVD和PECVD制备掺杂多晶硅层中的问题及解决方案

    能Poly5000是专为光伏工艺监控设计的在线POLY膜厚测试仪,采用领先的微纳米薄膜光学测量技术,100%Poly-si沉积工艺监控,可对样品进行快速、自动的5
    的头像 发表于 01-18 08:32 2084次阅读
    LPCVD和<b class='flag-5'>PECVD</b><b class='flag-5'>制备</b>掺杂多晶硅层中的问题及解决方案

    薄膜电容的工艺与结构介绍

    。 一、薄膜电容的工艺 薄膜电容的制造工艺主要包括金属薄膜沉积、光刻、腐蚀等步骤。 金属
    的头像 发表于 01-10 15:41 2615次阅读
    <b class='flag-5'>薄膜</b>电容的<b class='flag-5'>工艺</b>与结构介绍

    氮化镓芯片生产工艺有哪些

    氮化镓芯片是一种新型的半导体材料,由于其优良的电学性能,广泛应用于高频电子器件和光电器件中。在氮化镓芯片的生产工艺中,主要包括以下几个方面:材料准备、芯片制备、工厂测试和封装等。 首先
    的头像 发表于 01-10 10:09 1959次阅读

    TOPCon核心工艺技术路线盘点

    TOPCon 电池的制备工序包括清洗制绒、正面硼扩散、BSG 去除和背面刻蚀、氧化层钝化接触制备、正面氧化铝沉积、正背面氮化硅沉积、丝网印刷
    的头像 发表于 12-26 14:59 1.3w次阅读
    TOPCon核心<b class='flag-5'>工艺</b>技术路线盘点

    氮化硅为什么能够在芯片中扮演重要的地位?

    在芯片制造中,有一种材料扮演着至关重要的角色,那就是氮化硅(SiNx)。
    的头像 发表于 12-20 18:16 2074次阅读
    <b class='flag-5'>氮化硅</b>为什么能够在芯片中扮演<b class='flag-5'>重要</b>的地位?

    京瓷利用SN氮化硅材料研发高性能FTIR光源

    京瓷株式会社(以下简称京瓷)成功研发用于FTIR※的氮化硅(Silicon Nitride,以下简称SN)高性能光源。
    的头像 发表于 12-15 09:18 514次阅读
    京瓷利用SN<b class='flag-5'>氮化硅</b>材料研发高性能FTIR光源

    一文详解金属薄膜沉积工艺及金属化

    金属栅极的沉积方法主要由HKMG的整合工艺决定。为了获得稳定均匀的有效功函数,两种工艺都对薄膜厚度的均匀性要求较高。另外,先栅极的工艺对金属
    的头像 发表于 12-11 09:25 3235次阅读
    一文详解金属<b class='flag-5'>薄膜</b><b class='flag-5'>沉积</b><b class='flag-5'>工艺</b>及金属化

    国科光芯实现传输损耗-0.1dB/cm(1550 nm波长)级别氮化硅硅光芯片的量产

    据麦姆斯咨询报道,经过两年、十余次的设计和工艺迭代,国科光芯(海宁)科技股份有限公司(简称:国科光芯)在国内首个8英寸低损耗氮化硅硅光量产平台,实现了传输损耗-0.1 dB/cm(1550 nm波长
    的头像 发表于 11-17 09:04 1578次阅读