激光诱导前向转移技术由于其具有灵活、一步成型、对衬底扰动小、环保等优点,广泛用于芯片间的电气连接凸点制备。下面我们一起简单了解一下这种技术!
激光诱导前向转移技术适合制作柱状凸点,且激光诱导前向转移技术和其他凸点技术相比显得非常灵活,制作时间也相对较短,成本低,不需要像蒸发凸点技术一样制作掩膜板,对于热压键合和热超声键合来说,凸点的熔点越低,则键合过程越快,铟的熔点为156℃,具有不错的低温稳定性,导热性和导电性以及较低的回流温度,并且铟作为焊料无需助焊剂,可以避免污染芯片的有源区,并且对环境和人无害,所以我们使用铟作为供体材料。
激光诱导前向转移技术供体、载体及受体准备:对于供体材料及载体的准备,沉积一层薄膜到对激光透明的基板上。
沉积方法视供体材料种类而定。固态材料的沉积用蒸发或溅射方法;液相材料的沉积用旋涂或刮刀法。
对于受体的准备,可用玻璃基板。用光刻的方法加工金属焊盘和探针引线作为电气连接。
将供体材料薄层与受体基板紧密接触,并置于计算机控制的自动平移台上获得两者的最佳接触间距,视固态供体(如铟)或液态供体而不同。
激光诱导前向转移技术使用的激光:使用物镜聚焦脉冲紫外激光束,扫描透明载体,使其背面的供体材料转移到受体的焊盘上。
脉冲激光器的波长,脉宽,能流密度以及物镜焦距、高度等参数都需精确选择,由计算机程序控制获得一定的光束聚焦尺寸,满足特定的位置精度要求,实现焊凸转移到受体芯片的焊盘上。
审核编辑:刘清
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原文标题:激光诱导前向转移技术
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