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为了平衡成本和性能,强烈建议更换二极管(用 SiC SBD 代替硅SBD)。与硅 SBD 相比,SiC SBD 具有更低的trr和lrr,从而带来更低的 Err 和更好的系统效率。
特性
RDS(on)典型值=12 mΩ @ VGS = 18V
RDS(on)典型值=15 mΩ @ VGS = 15 V
超低门电荷(QG(tot)= 283 nC)
高速开关,低电容(COSS = 430 pF)
应用
特性
RDS(on)典型值=12 mΩ @ VGS= 18 V
RDS(on)典型值=15 mΩ @ VGS= 15 V
PCB占位面积比 D2PAK 小30%(9.9 mm x 11.68 mm)
体积比D2PAK 小60%(H = 2.3 mm)
超低封装电感(2 nH)
开尔文源引脚降低60%导通损耗EON
特性
2 X 1200 V/40 mQ SiC MOSFET
2 X 1200 V/40 A SiC 二极管,2 X 1200 V/50 A旁路 SiC 二极管
低电感布局
内置 NTC
应用
太阳能逆变器
不间断电源
更换PIM,提升功率密度
为了最大限度地提高系统效率和功率密度,应考虑PIM功率集成模块解决方案。SiC 模块成本更高,但能带来以下优势。
热性能比较:分立与模块
特性
2 X 1200 V SiC MOSFET,RDS(ON)= 10 mΩ
低热阻
内部 NTC 热敏电阻
优势
在更高的电压下,RDS(ON) 得到改进
更高的效率或更高的功率密度
高可靠性热界面的灵活解决方案
应用
三相太阳能逆变器
储能系统
应用和拓扑结构
安森美 (onsemi) 在储能系统和太阳能组串式逆变器方面拥有广泛的产品组合。
![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/AA/1A/wKgZomUs72aAPCeRAAG1rc8Fw-M604.png)
栅极驱动器
为了快速安全地驱动 SiC MOSFET,需要可靠的 SiC MOSFET 驱动器。在选择 SiC MOSFET 以提高 SiC MOSFET 电源实现方案的稳健性时,需要注意以下 3 点:
大电流能力 - 在导通和关断时输送高峰值电流以使 CGS 和 CGD 电容快速充电和放电。
抗扰度强 - 在具有快速开关 SiC MOSFET 的系统中,SiC 栅极驱动器必须考虑与快速 dV/dt 和感应噪声相关的抗扰度。特别是,允许的最大和最小电压表示对正负浪涌事件的抗扰度。
匹配的传播延迟 - 传播延迟是从 50% 的输入到 50% 的输出的时间延迟,这在高频应用中至关重要;延迟不匹配会导致开关损耗和发热。
特性
应用
隔离转换器
碳化硅驱动器
要在 ESS 中进行准确的电压和电流测量,需要可靠且精密的运算放大器(OpAmp)或电流检测放大器。安森美提供高精度、低功耗、电流监测(集成电阻)放大器,具有不同的供电电流、增益带宽积和封装,以便电压电流信号的反馈实现闭环控制。
特性
集成精密、比率匹配的电阻器,精度为 0.1%
宽共模输入:-0.1至40 V
低失调电压:+/-100 uV
低失调漂移:最大 +/-1 uV/C
低增益误差:最大 +/-1%
低功耗:每个通道最大 300 uA
应用
高/低边电流检测
特性
应用
系统级仿真工具
安森美的Elite Power 在线仿真工具能够在开发周期的早期进行系统级仿真,为复杂的电力电子应用提共有价值的参考信息。Elite Power 仿真工具能够精确呈现所设计的电路在使用我们的 EliteSiC 产品系列时的工况,包括 Elite SiC 技术的制造边界工况。
特性
PLECS 模型自助生成工具让电子工程师能灵活自由地创建定制化高保真系统级 PLECS 模型,工程师可以直接在自己的仿真平台中使用模型,也可将模型上传到安森美 Elite Power 仿真工具进行仿真。
特性
适用于硬开关和软开关仿真的 PLECS 模型
自助生成工具自定义应用寄生参数,根据用户指定的应用电路寄生参数进行调整,可显著影响导通损耗和开关损耗
高密度宽表根据用户指定的电气偏置和温度条件进行调整,提供导通损耗和开关损耗数据
边界模型在产品的典型条件和边界条件下有效,使用户能够跟踪产品在导通损耗和开关损耗处于最差、标称和最佳制造条件下的应用性能。
点个星标,茫茫人海也能一眼看到我
原文标题:为何碳化硅功率器件能助力实现更好的储能系统?
文章出处:【微信公众号:安森美】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。
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